22pVA-2 第一原理計算とマルチカノニカル法でみる物質構造相変化(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域3(磁性,磁気共鳴))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 吉本 芳英

  東大物性研

• 吉本 芳英

  東京大学物性研究所

• 吉本 芳英

  東大物性研:(現)鳥取大工応数

関連論文

• 21pPSB-21 第一原理計算とマルチカノニカル法による金属系の研究(21pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 平尾公彦監修, 武次徹也著, すぐできる量子化学計算 ビギナーズマニュアル, 講談社サイエンティフィク, 東京, 2006, vii+230p, 21×15cm, 本体3,200円, [大学院向・専門書]
• 20pZA-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光II(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
• 30aPS-19 マルチカノニカル法と第一原理計算によるシリコンの非結晶状態の研究(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28pXH-2 第一原理からのCNDOモデルハミルトニアンの構築 : グラファイトへの応用(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 24aTK-5 N/Cu(001)表面上のCoナノドットの電子状態(光電子分光・MCD,領域5,光物性)
• 窒素吸着Cu(001)表面に形成されたナノサイズCo島の電子状態
• 30pZB-9 ジグザグ端改質法による磁気的ナノグラファイトと高スピン炭化水素の理論予測
• 格子歪が誘起する金属表面の電子状態変化
• 23pYC-4 格子歪によるCu(100)ショックレー状態の変化(23pYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pXJ-3 格子歪のある酸素吸着Cu(100)表面の光電子分光(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pXF-7 Cu(100)表面電子状態の応力依存性II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15pXE-9 Cu(100) 表面電子状態の応力依存性(表面界面電子物性, 領域 9)
• 28aYF-8 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2およびκ-(BEDT-TTF)_2Cu_2(CN)_3の第一原理有効模型(28aYF κ-ET系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pTE-13 強相関電子系に対する第一原理計算: GW-based ab itnitio downfolding法の開発と実装(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 24pTE-2 空間次元を縮約するための第一原理Downfolding法の開発 : LaFeAsOおよびκ-(BEDT-TTF)_2Xへの応用(24pTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 24aXD-5 Single CI計算による固体の光学吸収スペクトル(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22pVA-2 第一原理計算とマルチカノニカル法でみる物質構造相変化(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域9合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pVA-2 第一原理計算とマルチカノニカル法でみる物質構造相変化(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22pVA-2 第一原理計算とマルチカノニカル法でみる物質構造相変化(22pVA 領域11,領域3,領域4,領域9合同シンポジウム:第一原理計算手法に基づくマルチスケールシミュレーションの展望,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23pTE-12 multi-order multi-thermal法とthermodynamic downfolding法によるMgOの液体結晶相転移(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 24aPS-83 拡張アンサンブル法で見る一次相転移(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 21aPS-62 マルチカノニカルアンサンブル分子動力学法で見る結晶構造相転移(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• 20aPS-36 有効遮蔽体法によるSi(001)表面の構造安定性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aXD-9 multi-order multi-thermal法による液体結晶相転移(24aXD 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25aYH-7 Ge(001)表面電子状態へのトンネルキャリアー注入による非局所構造変化(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 第一原理計算による構造最適化とその周辺
• 28pYB-6 電極表面の吸着水分子の構造 : 有効遮蔽体法による第一原理計算(28pYB 領域9シンポジウム:制限された場における水分子の科学,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-1 Ge(001)表面のダイマー構造の時間分解シミュレーション
• 30pYB-8 Ge(001)表面での微分コンダクタンススペクトルに於ける、温度効果の理論的研究(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aXD-8 STM観測下のGe(001)表面ダイマー系構造変換とダイマー系モデルポテンシャル(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27pYB-5 Ge(001)表面のトンネルキャリアー注入による構造変化II(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXF-6 境界移動で観測したGe(001)表面状態伝導の解析(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Ge(001)表面における表面構造の操作
• 25aXD-9 Ge(001)清浄表面でのバイアス電圧パルスによるc(4×2), p(2×2)構造の境界の移動(II)(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXG-10 Ge(001) 清浄表面でのバイアス電圧パルスによる c(4×2), p(2×2) 構造の境界の移動(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 31aWD-7 STM による Ge(001) 清浄面の超構造制御
• 25aXD-1 N/Cu(001)の表面歪みの理解におけるsurface stiffnessの必要性(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 27aPS-14 3d遷移金属のオンサイト有効クーロン相互作用の第一原理計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 15aPS-42 N/Cu(001) 自己組織化表面での狭い島間ギャップの生成理由(領域 9)
• 20aPS-24 第一原理計算による吸着子の Cu(001) 表面の表面張力への影響の研究
• 29aWJ-12 前処理による金属等の電子状態計算の SCF iteration の加速
• 17aWD-6 Cu(100)-c(2×2)N表面におけるN原子間有効相互作用
• 24pPSA-21 Si(001)面3,4原子層目に点欠陥がある時のSTM像の計算
• 22pPSA-64 熱力学的ダウンフォールディング法の水分子系への応用(22pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 22pTR-1 スピン液体EtMe_3Sb[Pd(dmit)_2]_2の第一原理有効模型導出 : 単一軌道および二軌道模型の比較(22pTR モット絶縁体・スピン液体,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pPSB-23 第一原理分子動力学計算でのmultibaric-multithermal法の利用(29pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pPSB-27 Cu(001)-c(2×2)N表面の第一原理計算(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク