25aXD-9 Ge(001)清浄表面でのバイアス電圧パルスによるc(4×2), p(2×2)構造の境界の移動(II)(表面・界面構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))

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概要

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• 2005-03-04

著者

• 中辻 寛

  東大物性研

• 小森 文夫

  東大物性研

• 吉本 芳英

  東大物性研

• 高木 康多

  東大物性研

• 吉本 芳英

  東京大学物性研究所

• 高木 康多

  理化学研究所播磨研究所

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