小林 光 | 阪大産研:科技団crest
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概要
関連著者
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小林 光
阪大産研:科技団crest
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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中戸 義禮
阪大基礎工及び有機光セ
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西岡 泰城
日本TI筑波研究開発セ
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小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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小林 光
阪大基礎工及び有機光セ
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小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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小林 光
阪大産研
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米田 健司
松下電子工業
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山下 良之
阪大基礎工及び有機光セ
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
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久保田 智広
東北大:理研
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難波 健治
阪大・基礎工 有機光セ
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久保田 智広
理研
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高橋 昌男
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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米田 健司
松下電子ULSIプロ開セ
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戸所 義博
松下電子企画部
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戸所 義博
松下電子工業
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西岡 泰城
TI筑波研究開発セ
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湯浅 俊郎
阪大産研:科技団crest
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小林 光
大阪大学産業科学研究所
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高橋 昌男
阪大産研
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浅野 明
阪大 産研
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久保田 智広
阪大基礎工及び有機光セ
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中戸 義禮
阪大・基礎工及び有機光セ
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難波 健治
阪大基礎工及び有機光セ
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森 利雄
阪大・基礎工
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岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
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毎田 修
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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毎田 修
阪大産研:科枝団CREST
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岩佐 仁雄
阪大産研
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松本 健俊
阪大産研
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湯浅 俊郎
阪大産研
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毎田 修
阪大産研
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溝黒 登志子
大阪大学産業科学研究所:大阪大学有機光工学研究センター
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松本 健俊
大阪大学産業科学研究所
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小林 光
科技団
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西岡 泰城
TIつくば研究セ
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湯浅 俊郎
阪大基礎工及び有機光セ
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山中 一弘
阪大基礎工及び有機光セ
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高橋 昌男
大阪大学産業科学研究所
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西岡 泰城
テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
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山下 良之
阪大・基礎工及び有機光セ
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小林 光
阪大・基礎工 有機光セ
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趙 惠淑
阪大産研:crest-jst
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森 利雄
阪大基礎工及び有機光セ
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溝黒 登志子
産業技術総合研究所
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マダニ モハマド
阪大産研
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任 星淳
阪大産研
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アスハ (長山)
阪大産研、科技振CREST
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高橋 昌男
阪大産研、科技振CREST
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小林 光
阪大産研、科技振CREST
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櫻井 岳暁
阪大産研
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Vasconcelos Elder
埼玉大工
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勝部 昭明
埼玉大工
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金崎 恵美
阪大産研
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西谷 幹彦
松下電産ディスプレイ開発セ
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溝黒 登志子
大阪大学産業科学研究所
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小林 光
阪大 産研
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吉川 信一
大阪大学産業科学研究所
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山下 良之
東大物性研
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櫻井 岳暁
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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浅野 明
阪大産研
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浅野 明
阪大基礎工及び有機光セ
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溝黒 登志子
阪大基礎工及び有機光セ
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戸所 義博
松下電器産業研究本部
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戸所 義博
松下電産研本
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吉川 信一
阪大産研
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吉川 信一
北海道大学大学院工学研究科
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東 裕子
阪大産研:科技振・戦略基礎
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橋本 泰宏
松下電器産業(株)
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西山 雅祥
大阪大学工作センター
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西山 雅祥
阪大工作セ
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川 英文
阪大基礎工
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東 裕子
大阪大学産業科学研究所
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成田 比呂晃
大阪大学産業科学研究所
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岩佐 仁雄
大阪大学産業科学研究所
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久保田 智広
阪大産研
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小林 光
科学技術振興事業団及び大阪大学基礎工学部及び有機光工学研究センター
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小林 光
新技団
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久保田 智広
阪大・基礎工 有機光セ
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任 星淳
阪大産研:科技振・戦略基礎
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橋本 泰宏
松下電器産業中央研究所
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趙 恵淑
阪大産研
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田中 峻介
阪大産研
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趙 惠淑
阪大産研
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成田 比呂晃
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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マダニ モハマド
阪大産研:科技振・戦略基礎
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Kikkawa Shinichi
Graduate School Of Engineering Hokkaido Univ.
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田中 峻介
阪大産研:crest-jst
著作論文
- 19aTG-8 硝酸酸化法で形成したSiO_2/SiC構造の表面・界面 : 水素処理の効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aPS-130 シリコンの低温化学酸化によるSiO_2厚膜の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 20aPS-14 化学的手法による SiO_2/Si 構造の低温形成と分光学的観測
- シアン処理によるシリコン欠陥準位の消滅と太陽電池の高性能化 (特集 大阪大学産業科学研究所 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(2))
- 29pPSA-7 化学的手法で形成した極薄SiO_2膜の物性とリーク電流低減
- 27aXE-10 白金の触媒作用を用いたSi/SiO_2界面の平坦化とリーク電流の低減
- 22aWB-8 バイアス印加XPS法を用いた6H-Sic界面準位の観測
- 27aW-4 シアン処理による多結晶シリコン中の欠陥準位の除去と光電変換素子の高効率化
- 28p-S-7 低速電子線衝撃により生成した窒素プラズマを用いたシリコンの低温窒化の機構
- 28p-S-1 Si/SiO_2界面の界面準位と酸化膜の原子密度 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 28a-YR-12 Si/SiO_2界面の界面準位と酸化膜の原子密度及び界面のラフネスの関係
- 1p-YE-14 Si/SiO_2界面の界面準位のエネルギー分布の酸化膜形成温度依存性 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 2a-YF-3 低速電子線衝撃により生成した窒素プラズマを用いるシリコンオキシナイトライド薄膜の低温形成 : 光電子分光法による観測
- 1p-YE-15 白金の触媒作用を用いたシリコンの低温酸化機構 : バイアス電圧依存性
- 6a-B-12 Si/SiO_2系におけるSi2pピークの結合エネルギーの酸化膜厚依存性
- 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 28p-YR-1 GaAs/絶縁物界面に存在する界面準位のKCN処理による低減
- 8a-B-7 XPSを用いる界面準位の新しい観測方法とその理論計算
- 6a-B-13 シリコンのラフネスがシリコン/シリコン酸化膜界面のバンドギャップ内界面準位に及ぼす影響
- 5p-B-2 白金の触媒作用を用いたシリコン酸化膜の低温成長法
- 5a-A-3 Si/SiO_2界面の界面準位の密度汎関数法による第一原理理論計算
- シリコンのバンドギャップ内の界面準位 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 30a-PS-34 酸化膜のSi2p準位の界面準位に誘起されたシフトの観測
- 30a-PS-33 構造をもつMOSデバイスの界面準位とフェルミレベルピニング:バイアス印加時のXPSスペクトルの観測
- 28a-S-12 バイアス電圧印加時のXPS測定によるGaAsのバンドギャップ内の界面準位の直接観測
- 23aWX-6 気相硝酸酸化法によるSiO_2/SiC構造の低温創製(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWX-5 気相硝酸酸化法により低温形成したSiO_2/Si構造の物性と電気特性(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- (La_Ln_x)_2O_2CN_2(Ln=Pr, Sm, Eu, Tb)の合成と蛍光特性
- 2a-J-10 MOS型デバイスにおける半導体のバンドギャップ内の表面準位の観測 : バイアス電圧印加時のXPS測定II実験
- 2a-J-9 MOS型デバイスにおける半導体のバンドギャップ内の表面準位の観測 : バイアス電圧印加時のXPS測定I原理
- 光電気化学がめざすもの--エネルギ-・環境問題に挑む(第2回国際シンポジウム--光電気化学のニュ-トレンド) (1994年の化学-6-)