高橋 昌男 | 阪大産研
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概要
関連著者
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高橋 昌男
阪大産研
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
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Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所
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小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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高橋 昌男
大阪大学産業科学研究所
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小林 光
阪大産研
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吉川 信一
阪大産研
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金丸 文一
新潟大学
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小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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吉川 信一
北海道大学大学院工学研究科
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吉川 信一
大阪大学産業科学研究所
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岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
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金丸 文一
大阪大学産業科学研究所教授
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那須 三郎
阪大基礎工
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岩佐 仁雄
阪大産研
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金丸 文一
大阪大学産業科学研究所
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川上 隆輝
日大理工
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森本 正太郎
大阪大谷大
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那須 三郎
JAEA・先端基礎
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川上 隆輝
日本大 量子科研
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劉 〓伶
阪大産研
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金丸 文一
阪大産研
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劉 ★〓伶
阪大産研:科技振・戦略基礎
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那須 三郎
大阪大学基礎工学部
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那須 三郎
大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻物性物理科学分野
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那須 三郎
京大化研
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東 裕子
阪大産研
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毎田 修
阪大産研
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那須 三郎
大阪大 大学院
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那須 三郎
大阪大学
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東 裕子
阪大産研:科技振・戦略基礎
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渡辺 巌
大阪女子大学理学部
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小林 光
阪大産研:科技団crest
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原田 誠
東京工業大学大学院理工学研究科
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Sato N
Tohoku Univ.
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渡辺 巌
大阪大学大学院理学研究科化学専攻
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原田 誠
大阪大学大学院理学研究科化学専攻
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渡辺 巌
大阪府立大学大学院理学系研究科分子科学専攻
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渡辺 巌
阪大院理
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Morimoto Setsu
Department Of Physics Fculty Of Science Ochanomizu University
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Kikkawa Shinichi
Graduate School Of Engineering Hokkaido Univ.
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毎田 修
阪大産研:科枝団CREST
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川合 知二
阪大産研
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斎藤 直
大阪大RIセンター
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山口 修
同志社大学工学部機能分子工学科
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廣田 健
同志社大学理工学部機能分子・生命化学科
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マダニ モハマド
阪大産研
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松本 健俊
阪大産研
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成田 比呂晃
阪大産研
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高橋 昌男
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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劉 ★〓伶
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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中村 唯生
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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小林 光
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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藤井 宏樹
阪大産研
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斎藤 直
阪大RIセンター
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小林 裕和
日大理工
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森本 正太郎
阪大基礎工
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松本 健俊
大阪大学産業科学研究所
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劉 〓伶
阪大産研:科技振・戦略基礎
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北浜 克煕
阪大産研
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多賀谷 公仁
阪府大総科
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笹倉 裕之
浜松医大物理
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笹倉 裕之
浜松医大医
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廣田 健
同志社大学工学部機能分子工学科
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赤城 嘉也
浜松医大医
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伊藤 麻美
日大院理工
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稲村 偉
大阪府立工業技術研究所
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吉岡 秀樹
兵庫県立工業技術センター
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任 星淳
阪大産研:科技振・戦略基礎
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藤木 充司
大阪大学産業科学研究所
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樋野村 徹
大阪大学大学院
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杉山 秀幸
大阪大学産業科学研究所
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柳瀬 悦也
川崎重工業(株)技術研究所
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山口 修
同志社大学工学部
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廣田 健
同志社大学 理工学部 機能分子・生命化学科
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延谷 宏治
大阪大学産業研究所:裏六甲酸性火砕岩研究グループ
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毎田 修
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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成田 比呂晃
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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マダニ モハマド
阪大産研:科技振・戦略基礎
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柳瀬 悦也
川崎重工業 技研
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廣田 健
同志社大学理工学部機能分子生命化学科
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高橋 昌男
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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柳瀬 悦也
川崎重工業
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山口 修
同志社大学
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廣田 健
同志社大学
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斎藤 直
阪大RIセ
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高橋 博樹
日大文理
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江村 修一
阪大産研
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柳瀬 隆
阪大産研
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寺川 澄雄
阪大産研
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任 星淳
阪大産研
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田中 祐士
阪大産研
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高橋 昌男
阪大産研,科技振・戦略基礎
-
任 星淳
阪大産研,科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研,科技振・戦略基礎
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藤原 直澄
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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深山 権一
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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湯浅 俊郎
阪大産研
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樋野村 徹
阪大基礎工
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中川 浩行
阪大基礎工
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石川 貴明
日大理工
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寺川 澄雄
阪大産研:crest-jst
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那須 三郎
大阪大学基礎工学研究科
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堀内 健
阪大・産研
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堀内 健
阪大産研
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河合 七雄
阪大産研
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北浜 克熈
阪大・産研
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吉岡 秀樹
兵庫県工技セ
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川端 淳司
阪府大総科
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隅谷 大作
阪府大総科
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橋本 泰宏
松下電器産業(株)
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那須 三郎
大阪大学基礎工学部物性物理工学科
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山本 融
大阪大学産業科学研究所
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金崎 裕志
大阪大学産業科学研究所
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ADHIKARY Kalyan
大阪大学産業科学研究所
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榎本 真介
大阪大学産業科学研究所
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斉藤 直
阪大RIセンター
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宮本 大樹
大阪府立工業技術研究所
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延谷 宏治
大阪大学産業科学研究所
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宮永 崇史
弘前大学理工学部物質理工学科
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林 良一
阪府大総科
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Nasu Saburo
Department Of Material Physics Faculty Of Engineering Science Osaka University
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Noguchi S
Department Of Physics And Electronics Osaka Prefecture University
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樋野村 徹
大阪大学基礎工学部
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山口 貴生
阪大産研
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吉岡 秀樹
兵工技センター
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元山 宗之
兵工技センター
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斉藤 直
阪大riセ
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東海 正國
川崎重工業株式会社
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嵩 良徳
川崎重工業(株) 関東技研
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崎山 雅行
川崎重工業(株) 関東技研
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赤城 嘉也
阪府大総科
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橋本 泰宏
松下電器産業中央研究所
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溝口 康彦
大阪大学大学院理学研究科化学専攻
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金丸 文一
新潟大学工学部
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Liu Yueh
阪大産研
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井上 森雄
阪大産研
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伊藤 麻美
日大理工
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金子 泰成
立命館大学理工学部化学科
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太田 勝博
阪大産研
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泉 佐和子
大阪大学産業科学研究所
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延谷 宏治
阪大産研
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井上 森雄
阪大産研:科技団crest
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北浜 克煕
阪大・産研
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赤城 嘉也
阪大産研
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延谷 宏治
大阪大 産科研
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Liu Yueh
阪大産研:科技団crest
-
嵩 良徳
川崎重工業(株)
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東海 正國
川崎重工業
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東海 正國
川崎重工業株式会社関東技術研究所
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高橋 昌男
大阪大学 産業科学研究所
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湯浅 俊郎
阪大産研:科技団crest
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柳瀬 隆
阪大産研:科技振戦略基礎
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崎山 雅行
川崎重工業 技研
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田中 祐士
阪大産研:crest-jst
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北浜 克熙
阪大・産研
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那須 三郎
Jaea先端基礎
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Nasu Saburo
Division Of Materials Physics Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science
-
稲村 偉
大阪府立産業技術総合研究所
-
王 カイ
阪大産研
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Nasu Saburo
Faculty of Engineering Science,Osaka University
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徳道 敬太
日大理工
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溝黒 登志子
阪大産研:
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小林 光
阪大産研:
-
高橋 昌男
阪大産研:
-
毎田 修
阪大産研:
著作論文
- 23aGP-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の銅除去 : 極微量汚染銅の化学結合状態(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYG-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の吸着Ni除去機構(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aXB-7 HCN水溶液による4H-SiC表面上の吸着金属の完全除去(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-4 新規の硝酸法によるSiO_2/Si構造の低温形成(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aTD-13 HCN溶液によるシリコン表面上の吸着銅の完全除去と表面形態制御(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aTG-8 硝酸酸化法で形成したSiO_2/SiC構造の表面・界面 : 水素処理の効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYB-4 硝酸酸化法による低温生成SiO_2膜の微構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-7 シアン化物イオンによるSi表面の金属脱離(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pWB-6 シアン化物溶液中での電気化学酸化法によるシリコンオキシナイトライド膜の低温創製(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-6 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (2) : 銅洗浄機構(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15pXG-5 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (1) : 銅とニッケル(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 20aPS-14 化学的手法による SiO_2/Si 構造の低温形成と分光学的観測
- 30p-PSB-26 新しい鉄窒化物FeN_の磁性
- 5p-H-9 FeNx(X=0.25〜0.98)合金のメスバウアー効果
- 21pPSA-51 高圧下におけるγ'-Fe_4Nのメスバウアー分光測定(21pPSA 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aPS-34 γ'-Fe_4Nの高圧下メスバウアー分光測定(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
- Liを含むBi系酸化物超伝導体のEXAFSによる結晶構造解析
- (Pb, Cu)(Sr, La)_2(Gd, La)_2Cu_2O_z, (Bi, Cu)Sr_2(Er, Ce)_2Cu_2O_zの示す弱い超伝導性
- 均一液相法によるZnO-In_2O_3系透明導電物質の低温合成
- 高周波スパッタ法によるFe/AlN多層膜の成膜条件と物性
- RF-スパッタ法によって合成されたTi_Al_xN薄膜の耐酸化性(セラミック材料小特集)
- 高周波スパッタ法によるFe/AlN積層膜の作製と磁性
- 2A01 (Ln, Ce)_2CuO_4 T' 相における Ln 置換と酸素分布
- 23aWS-11 HCN水溶液による半導体表面清浄化 : 10^原子/cm^2オーダの銅の化学状態解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 12p-PSA-53 (Bi, Cu)Sr_2(Ln, Ce)_2O_z系における1222相の合成とその物性
- (La_Ln_x)_2O_2CN_2(Ln=Pr, Sm, Eu, Tb)の合成と蛍光特性
- セラミックスや合金の転換電子収量XAFS(セラミック材料)
- スパッタ成膜した窒化物薄膜のHeイオン収量XAFS法による局所構造解析(セラミック材料)
- 高周波スパッタ法によるSi-Fe-N系薄膜の作製および熱分解反応による磁性微粒子の析出
- 反応性同時スパッタ法によるFe-Al-N系薄膜の作製とアニール効果
- 遷移金属を含む複窒化物(Nb_Ga_x) N, ANiN およびA_3CoN_3 (A : アルカリ土類金属)の生成
- 28pPSB-19 化学的手法による極薄 SiO_2/Si 構造の低温形成とリーク電流密度の低減
- 19pPSB-14 化学的に形成した極薄SiO_2/Si構造の原子密度と価電子帯
- 18pTB-7 高圧下メスバウアー分光測定を用いたγ'-Fe_4Nの磁気的性質(18pTB 磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 12pWB-6 γ'-Fe_4N の高圧下メスバウアー分光(化合物磁性, 磁性半導体・絶縁体, 実験技術開発, 磁気共鳴一般, 磁性一般, 領域 3)
- 大気圧Heイオン収量X線吸収微細構造法(XAFS)による薄膜試料の分析
- 3G12 希土類酸窒化物の合成と熱的安定性
- 反応性スパッタ法で作製したCu_3N-TiN系窒化物薄膜の電子状態
- 2p-R-10 BaNiS_2におけるBaサイトのLa置換効果
- XPSやAESによるセラミックス表面の状態分析
- 欠陥終端化機能を有する半導体表面洗浄法による半導体デバイスの高性能化
- 水や大気に曝されたセラミックス表面のキャラクタリゼ-ション (水とセラミックス)
- Ti1-xAlxN固溶体におけるバンドギャップの構造化学的研究
- 24pCC-11 シアン化処理法を用いた欠陥除去と洗浄による太陽電池用シリコン基板のライタイムの向上(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aPS-144 γ'-Fe_4N高圧下メスバウアー分光とX線回折(27aPS 領域8ポスターセッション(磁性,低温1),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 8aSM-12 低速電子線衝撃で作製したシリコンオキシナイトライド膜中の化学種 : XPSと密度汎関数法による決定(表面界面構造・電子物性,領域9)