劉 ★〓伶 | 阪大産研:科技振・戦略基礎
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概要
関連著者
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所
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高橋 昌男
阪大産研
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
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劉 ★〓伶
阪大産研:科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
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Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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岩佐 仁雄
阪大産研
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劉 〓伶
阪大産研
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小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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高橋 昌男
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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劉 ★〓伶
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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中村 唯生
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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小林 光
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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小林 光
阪大産研
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東 裕子
阪大産研
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マダニ モハマド
阪大産研
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藤原 直澄
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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深山 権一
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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東 裕子
阪大産研:科技振・戦略基礎
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マダニ モハマド
阪大産研:科技振・戦略基礎
著作論文
- 28aYG-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の吸着Ni除去機構(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aXB-7 HCN水溶液による4H-SiC表面上の吸着金属の完全除去(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15pXG-6 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (2) : 銅洗浄機構(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15pXG-5 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (1) : 銅とニッケル(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)