小林 光 | 大阪大学産業科学研究所:crest-jst

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概要

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関連著者

• 小林 光

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 小林 光

  大阪大学産業科学研究所:crest-jst

• 小林 光

  大阪大学産業科学研究所

• 小林 光

  阪大産研,科技振・戦略基礎

• 高橋 昌男

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 小林 光

  阪大産研

• 高橋 昌男

  阪大産研

• 松本 健俊

  大阪大学産業科学研究所

• 岩佐 仁雄

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 岩佐 仁雄

  阪大産研

• 小林 光

  阪大産研:科技団crest

• Takahashi Masao

  The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University

• 小林 光

  阪大産研:crest-jst

• 松本 健俊

  阪大産研

• 高橋 昌男

  大阪大学産業科学研究所:crest-jst

• 劉 〓伶

  阪大産研

• 東 裕子

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 東 裕子

  阪大産研

• 金 佑柄

  大阪大学産業科学研究所

• 趙 惠淑

  阪大産研:crest-jst

• 成田 比呂晃

  大阪大学産業科学研究所:crest-jst

• マダニ モハマド

  阪大産研

• 寺川 澄雄

  阪大産研

• 成田 比呂晃

  阪大産研

• 寺川 澄雄

  阪大産研:crest-jst

• 劉 ★〓伶

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 劉 〓伶

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 高橋 昌男

  大阪大学産業科学研究所

• 趙 惠淑

  阪大産研

• 毎田 修

  大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻

• マダニ モハマド

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 毎田 修

  阪大産研:科枝団CREST

• 柳瀬 隆

  阪大産研

• 任 星淳

  阪大産研

• 田中 祐士

  阪大産研

• アスハ (長山)

  阪大産研、科技振CREST

• 高橋 昌男

  阪大産研、科技振CREST

• 小林 光

  阪大産研、科技振CREST

• 吉川 信一

  大阪大学産業科学研究所

• 岩田 隆

  阪大産研

• 今村 健太郎

  大阪大学産業科学研究所

• 吉川 信一

  阪大産研

• 吉川 信一

  北海道大学大学院工学研究科

• 毎田 修

  大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座

• 橋本 泰宏

  松下電器産業(株)

• 東 裕子

  大阪大学産業科学研究所

• 成田 比呂晃

  大阪大学産業科学研究所

• 岩佐 仁雄

  大阪大学産業科学研究所

• 任 星淳

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 橋本 泰宏

  松下電器産業中央研究所

• 岡藤 麻子

  大阪大学大学院理学研究科生物科学専攻

• 小林 克稔

  大阪大学産業科学研究所

• 趙 恵淑

  阪大産研

• 田中 峻介

  阪大産研

• 岩田 隆

  阪大産研:crest-jst

• Kikkawa Shinichi

  Graduate School Of Engineering Hokkaido Univ.

• 田中 峻介

  阪大産研:crest-jst

• 柳瀬 隆

  阪大産研:科技振戦略基礎

• 田中 祐士

  阪大産研:crest-jst

• 金 佑柄

  阪大産研:crest-jst

• 前田 譲章

  大阪大学産業科学研究所

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著作論文

• 23aGP-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の銅除去 : 極微量汚染銅の化学結合状態(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYG-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の吸着Ni除去機構(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aXB-7 HCN水溶液による4H-SiC表面上の吸着金属の完全除去(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXA-4 新規の硝酸法によるSiO_2/Si構造の低温形成(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-13 HCN溶液によるシリコン表面上の吸着銅の完全除去と表面形態制御(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aTG-8 硝酸酸化法で形成したSiO_2/SiC構造の表面・界面 : 水素処理の効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYB-4 硝酸酸化法による低温生成SiO_2膜の微構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pYE-7 シアン化物イオンによるSi表面の金属脱離(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-130 シリコンの低温化学酸化によるSiO_2厚膜の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 20aPS-14 化学的手法による SiO_2/Si 構造の低温形成と分光学的観測
• シアン処理によるシリコン欠陥準位の消滅と太陽電池の高性能化 (特集 大阪大学産業科学研究所 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(2))
• 28pYG-2 硝酸酸化法によるAl_2O_3/Al構造の室温形成(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28aYG-11 98%硝酸で形成した低リーク電流を持つ極薄SiO_2/Si構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 硝酸溶液を用いたSi表面上へのSiO_2酸化薄膜の低温形成と酸化膜の電気特性評価
• 25pTD-1 硝酸酸化法による低リーク電流を持つ極薄SiO_2/Si(111)超平坦界面構造の創製(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 23aWX-6 気相硝酸酸化法によるSiO_2/SiC構造の低温創製(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWX-5 気相硝酸酸化法により低温形成したSiO_2/Si構造の物性と電気特性(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWS-11 HCN水溶液による半導体表面清浄化 : 10^原子/cm^2オーダの銅の化学状態解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• Al_2O_3微粒子を用いた光閉じ込め構造を有するa-Si太陽電池の作製
• (La_Ln_x)_2O_2CN_2(Ln=Pr, Sm, Eu, Tb)の合成と蛍光特性
• 硝酸酸化極薄膜とCVD-SiO_2薄膜の積層型ゲート酸化膜を用いた超低消費電力型薄膜トランジスタの創製
• 24aHA-5 物理粉砕法により形成したシリコンナノ粒子の表面観察とpn接合の形成(24aHA 表面ナノ構造量子物性(微粒子・クラスタ),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-2 SiC(0001)表面(Si面)とSiC(000-1)表面(C面)の気相硝酸酸化反応のメカニズムの解明(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))

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