高橋 昌男 | 大阪大学産業科学研究所:crest-jst

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概要

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関連著者

• 高橋 昌男

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 高橋 昌男

  大阪大学産業科学研究所:crest-jst

• 小林 光

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 小林 光

  阪大産研:科技団crest

• 小林 光

  大阪大学産業科学研究所:crest-jst

• 高橋 昌男

  阪大産研

• 小林 光

  阪大産研,科技振・戦略基礎

• 中嶋 誠

  東大物性研

• 小林 光

  大阪大学産業科学研究所

• マダニ モハマド

  阪大産研

• 任 星淳

  阪大産研

• アスハ (長山)

  阪大産研、科技振CREST

• 高橋 昌男

  阪大産研、科技振CREST

• 小林 光

  阪大産研、科技振CREST

• 播磨 弘

  阪大工

• 東 裕子

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 中嶋 誠

  阪大工

• 高橋 昌男

  大阪大学産業科学研究所

• 東 裕子

  大阪大学産業科学研究所

• 成田 比呂晃

  大阪大学産業科学研究所

• 岩佐 仁雄

  大阪大学産業科学研究所

• 任 星淳

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学学芸学部電子情報工学科

• 高橋 昌男

  阪大工

• 岩佐 仁雄

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 毎田 修

  大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻

• 成田 比呂晃

  大阪大学産業科学研究所:crest-jst

• マダニ モハマド

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 小林 光

  阪大産研

• 毎田 修

  阪大産研:科枝団CREST

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著作論文

• 19aTG-8 硝酸酸化法で形成したSiO_2/SiC構造の表面・界面 : 水素処理の効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24aPS-130 シリコンの低温化学酸化によるSiO_2厚膜の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 20aPS-14 化学的手法による SiO_2/Si 構造の低温形成と分光学的観測
• シアン処理によるシリコン欠陥準位の消滅と太陽電池の高性能化 (特集 大阪大学産業科学研究所 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(2))
• 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 25pXD-4 GaAsにおけるコヒーレントフォノンの生成駆動力の実時間観測

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