小林 光 | 阪大産研:科技振・戦略基礎

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• 小林 光

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• 小林 光

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• 高橋 昌男

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 高橋 昌男

  阪大産研

• 小林 光

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• 岩佐 仁雄

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• Takahashi Masao

  The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University

• 松本 健俊

  大阪大学産業科学研究所

• 小林 光

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• 岩佐 仁雄

  阪大産研

• 毎田 修

  大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻

• 毎田 修

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• 小林 光

  大阪大 産科研

• 松本 健俊

  阪大産研

• 毎田 修

  阪大産研

• 高橋 昌男

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• 劉 〓伶

  阪大産研

• 米田 健司

  松下電子工業

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• 東 裕子

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 東 裕子

  阪大産研

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• 湯浅 俊郎

  阪大産研

• 西岡 泰城

  日本TI筑波研究開発セ

• 金 佑柄

  大阪大学産業科学研究所

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• 岡藤 麻子

  大阪大学大学院理学研究科生物科学専攻

• 趙 惠淑

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• 成田 比呂晃

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• 湯浅 俊郎

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• マダニ モハマド

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• 寺川 澄雄

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• 成田 比呂晃

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• 高橋 昌男

  阪大産研及び科技振・戦略基礎

• 劉 ★〓伶

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• 中村 唯生

  阪大産研及び科技振・戦略基礎

• 岩佐 仁雄

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• 戸所 義博

  松下電子企画部

• 戸所 義博

  松下電子工業

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  阪大産研

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  阪大産研

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• 岩佐 仁雄

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• アスハ (長山)

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• 藤原 直澄

  阪大産研及び科技振・戦略基礎

• 深山 権一

  阪大産研及び科技振・戦略基礎

• 櫻井 岳暁

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• Vasconcelos Elder

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  埼玉大工

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• 米田 健司

  松下電子ULSIプロ開セ

• 西谷 幹彦

  松下電産ディスプレイ開発セ

• 溝黒 登志子

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  TI筑波研究開発セ

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• 吉川 信一

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• 櫻井 岳暁

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• 溝黒 登志子

  大阪大学産業科学研究所:大阪大学有機光工学研究センター

• 岩田 隆

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• 西岡 泰城

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• 久保田 智広

  東北大:理研

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• 吉川 信一

  北海道大学大学院工学研究科

• 毎田 修

  大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座

• 橋本 泰宏

  松下電器産業(株)

• 西山 雅祥

  大阪大学工作センター

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  阪大工作セ

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• 小林 琢也

  阪大基礎工

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• 小林 琢也

  阪大産研及び科技団・戦略基礎

• 岡藤 麻子

  阪大産研及び科技団・戦略基礎

• 毎田 修

  阪大産研及び科技団・戦略基礎

• 久保田 智広

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  松下電器産業中央研究所

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  阪大産研

• 小林 光

  科学技術事業団さきがけ研究及び大阪大学産業科学研究所

• 小林 光

  大阪大学基礎工学部及び有機光工学研究センター

• 井上 森雄

  阪大産研:科技団crest

• Liu Yueh

  阪大産研:科技団crest

• 岩田 隆

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• Kikkawa Shinichi

  Graduate School Of Engineering Hokkaido Univ.

• 田中 峻介

  阪大産研:crest-jst

• 溝黒 登志子

  産業技術総合研究所

• 柳瀬 隆

  阪大産研:科技振戦略基礎

• 田中 祐士

  阪大産研:crest-jst

• 金 佑柄

  阪大産研:crest-jst

• 前田 譲章

  大阪大学産業科学研究所

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著作論文

• 23aGP-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の銅除去 : 極微量汚染銅の化学結合状態(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYG-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の吸着Ni除去機構(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aXB-7 HCN水溶液による4H-SiC表面上の吸着金属の完全除去(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXA-4 新規の硝酸法によるSiO_2/Si構造の低温形成(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-13 HCN溶液によるシリコン表面上の吸着銅の完全除去と表面形態制御(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aTG-8 硝酸酸化法で形成したSiO_2/SiC構造の表面・界面 : 水素処理の効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYB-4 硝酸酸化法による低温生成SiO_2膜の微構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pYE-7 シアン化物イオンによるSi表面の金属脱離(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pWB-6 シアン化物溶液中での電気化学酸化法によるシリコンオキシナイトライド膜の低温創製(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-130 シリコンの低温化学酸化によるSiO_2厚膜の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXG-6 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (2) : 銅洗浄機構(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 15pXG-5 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (1) : 銅とニッケル(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 20aPS-14 化学的手法による SiO_2/Si 構造の低温形成と分光学的観測
• シアン処理によるシリコン欠陥準位の消滅と太陽電池の高性能化 (特集 大阪大学産業科学研究所 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(2))
• 29pPSA-7 化学的手法で形成した極薄SiO_2膜の物性とリーク電流低減
• 27aXE-10 白金の触媒作用を用いたSi/SiO_2界面の平坦化とリーク電流の低減
• 22aWB-8 バイアス印加XPS法を用いた6H-Sic界面準位の観測
• 27aW-4 シアン処理による多結晶シリコン中の欠陥準位の除去と光電変換素子の高効率化
• 28p-S-7 低速電子線衝撃により生成した窒素プラズマを用いたシリコンの低温窒化の機構
• 28p-S-1 Si/SiO_2界面の界面準位と酸化膜の原子密度 : バイアス電圧印加時のXPS測定
• 28pYG-2 硝酸酸化法によるAl_2O_3/Al構造の室温形成(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28aYG-11 98%硝酸で形成した低リーク電流を持つ極薄SiO_2/Si構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 硝酸溶液を用いたSi表面上へのSiO_2酸化薄膜の低温形成と酸化膜の電気特性評価
• 25pTD-1 硝酸酸化法による低リーク電流を持つ極薄SiO_2/Si(111)超平坦界面構造の創製(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28a-YR-13 X線光電子分光法による固液界面の観測
• 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 28p-YR-1 GaAs/絶縁物界面に存在する界面準位のKCN処理による低減
• 15pXE-2 バイアス印加 XPS 法による極薄シリコンオキシナイトライド膜/シリコン界面の界面準位の観測(表面界面電子物性, 領域 9)
• 21aYD-1 バイアス XPS 法による極薄ゲート絶縁膜/シリコン界面の界面準位評価
• 硝酸酸化法による低リーク電流を持つ極薄SiO_2/Si構造の創製
• シアン処理によるSi/SiO_2界面の界面準位の消滅とMOSダイオードの高性能化
• シアン処理によるアモルファスシリコン太陽電池の特性向上
• 23aWX-6 気相硝酸酸化法によるSiO_2/SiC構造の低温創製(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWX-5 気相硝酸酸化法により低温形成したSiO_2/Si構造の物性と電気特性(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWS-11 HCN水溶液による半導体表面清浄化 : 10^原子/cm^2オーダの銅の化学状態解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• Al_2O_3微粒子を用いた光閉じ込め構造を有するa-Si太陽電池の作製
• (La_Ln_x)_2O_2CN_2(Ln=Pr, Sm, Eu, Tb)の合成と蛍光特性
• 28pPSB-19 化学的手法による極薄 SiO_2/Si 構造の低温形成とリーク電流密度の低減
• 19pPSB-14 化学的に形成した極薄SiO_2/Si構造の原子密度と価電子帯
• 白金の触媒作用を用いたSi-MOS構造の低温形成と電気特性の向上 (特集 大阪大学産業科学研究所 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(2))
• 界面,欠陥制御とソーラセル (特集 21世紀に飛躍する材料)
• 白金触媒を用いる高性能極薄SiO2/Si構造 (特集:表面・界面科学研究)
• 半導体の界面準位の分光学的な観測方法と準位密度の低減
• シリコン材料の界面制御と半導体デバイスの高性能化 (特集 金属素材プロセス 次世代への展望)
• X線光電子分光法を用いた半導体のバンドギャップ内の界面準位の新しい観測方法
• 技術解説 半導体バンドギャップ内の界面準位を分光学的に観測する新規技術
• 研究ノート SiO2/Si構造の低温創製法と半導体デバイスへの応用
• 硝酸酸化極薄膜とCVD-SiO_2薄膜の積層型ゲート酸化膜を用いた超低消費電力型薄膜トランジスタの創製
• 24aHA-5 物理粉砕法により形成したシリコンナノ粒子の表面観察とpn接合の形成(24aHA 表面ナノ構造量子物性(微粒子・クラスタ),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-2 SiC(0001)表面(Si面)とSiC(000-1)表面(C面)の気相硝酸酸化反応のメカニズムの解明(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))

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