28aYG-11 98%硝酸で形成した低リーク電流を持つ極薄SiO_2/Si構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-08-18
著者
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所
-
金 佑柄
大阪大学産業科学研究所
-
松本 健俊
大阪大学産業科学研究所
-
小林 光
阪大産研:crest-jst
-
小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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