28p-YR-1 GaAs/絶縁物界面に存在する界面準位のKCN処理による低減

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1998-09-05

著者

• 小林 光

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 小林 光

  阪大産研,科技振・戦略基礎

• 西岡 泰城

  日本TI筑波研究開発セ

• 西岡 泰城

  TIつくば研究セ

• 久保田 智広

  東北大:理研

• 小林 光

  阪大産研:科技団crest

• 久保田 智広

  阪大産研

• 久保田 智広

  理研

• 小林 光

  阪大産研

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