7a-PS-23 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(100):B 表面の電子状態
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-09-16
著者
-
西岡 泰城
日本TI筑波研究開発セ
-
西岡 泰城
テキサスインスツルメント筑波研究開発センター
-
木村 栄伸
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
-
西岡 泰城
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
関連論文
- 22aWB-8 バイアス印加XPS法を用いた6H-Sic界面準位の観測
- 28p-S-1 Si/SiO_2界面の界面準位と酸化膜の原子密度 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 28a-YR-12 Si/SiO_2界面の界面準位と酸化膜の原子密度及び界面のラフネスの関係
- 1p-YE-14 Si/SiO_2界面の界面準位のエネルギー分布の酸化膜形成温度依存性 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 水素化が及ぼすシリコン表面の偏光解析パラメータの変化
- 28p-YP-4 シリコン酸化表面の水素化に伴う偏光解析パラメータの変化
- 28p-YR-1 GaAs/絶縁物界面に存在する界面準位のKCN処理による低減
- 8a-B-7 XPSを用いる界面準位の新しい観測方法とその理論計算
- 6a-B-13 シリコンのラフネスがシリコン/シリコン酸化膜界面のバンドギャップ内界面準位に及ぼす影響
- 5a-A-3 Si/SiO_2界面の界面準位の密度汎関数法による第一原理理論計算
- シリコンのバンドギャップ内の界面準位 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 30a-PS-34 酸化膜のSi2p準位の界面準位に誘起されたシフトの観測
- 24aW-12 Ni(100)表面における1,3-ブタジエン(C_4H_6)吸着状態の低温STMによる観察
- 31a-PS-12 ドーピングによるSi(100)表面ストレスの変化とステップ構造
- 7a-PS-23 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(100):B 表面の電子状態
- 2p-PSA-7 SrTiO_3(001)表面の電子状態におけるO空格子の影響
- 28a-WC-10 Ultrasoft擬ポテンシャルによるSrTiO_3表面の電子状態
- サマリー・アブストラクト
- 29a-PS-44 第一原理擬ポテンシャル法によるTiO_2(110)表面の電子状態
- 31p-PSB-30 第一原理分子動力学法によるTiO_2(110)表面の構造
- 30a-PS-39 第一原理計算によるチタン酸化物表面の酸素欠陥