西岡 泰城 | 日本TI筑波研究開発セ
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概要
関連著者
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西岡 泰城
日本TI筑波研究開発セ
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小林 光
阪大産研:科技団crest
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西岡 泰城
TI筑波研究開発セ
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中戸 義禮
阪大基礎工及び有機光セ
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山下 良之
阪大基礎工及び有機光セ
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久保田 智広
東北大:理研
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久保田 智広
理研
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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浅野 明
阪大 産研
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久保田 智広
阪大基礎工及び有機光セ
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小林 光
阪大基礎工及び有機光セ
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小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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櫻井 岳暁
阪大産研
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櫻井 岳暁
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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小林 光
科技団
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西岡 泰城
TIつくば研究セ
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西岡 泰城
テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
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木村 栄伸
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
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西岡 泰城
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
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小林 光
阪大産研
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川合 真紀
理研
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米田 忠弘
東北大多元研
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米田 忠弘
理研
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米田 忠弘
東北大学多元物質科学研究所
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Vasconcelos Elder
埼玉大工
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勝部 昭明
埼玉大工
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小林 光
阪大 産研
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山下 良之
東大物性研
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浅野 明
阪大産研
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浅野 明
阪大基礎工及び有機光セ
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西岡 泰城
テキサスインスツルメント筑波研究開発センター
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米田 忠弘
理化学研究所表面化学研究室
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久保田 智広
阪大産研
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小林 光
科学技術振興事業団及び大阪大学基礎工学部及び有機光工学研究センター
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小林 光
新技団
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山下 良之
阪大・基礎工及び有機光セ
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中戸 義禮
阪大・基礎工及び有機光セ
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難波 健治
阪大基礎工及び有機光セ
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難波 健治
阪大・基礎工 有機光セ
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米田 忠弘
(株)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
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川合 真紀
理研:東大新領域
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米田 忠弘
東北大多元研:crest-jst
著作論文
- 22aWB-8 バイアス印加XPS法を用いた6H-Sic界面準位の観測
- 28p-S-1 Si/SiO_2界面の界面準位と酸化膜の原子密度 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 28a-YR-12 Si/SiO_2界面の界面準位と酸化膜の原子密度及び界面のラフネスの関係
- 1p-YE-14 Si/SiO_2界面の界面準位のエネルギー分布の酸化膜形成温度依存性 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 28p-YR-1 GaAs/絶縁物界面に存在する界面準位のKCN処理による低減
- 8a-B-7 XPSを用いる界面準位の新しい観測方法とその理論計算
- 6a-B-13 シリコンのラフネスがシリコン/シリコン酸化膜界面のバンドギャップ内界面準位に及ぼす影響
- 5a-A-3 Si/SiO_2界面の界面準位の密度汎関数法による第一原理理論計算
- シリコンのバンドギャップ内の界面準位 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 30a-PS-34 酸化膜のSi2p準位の界面準位に誘起されたシフトの観測
- 24aW-12 Ni(100)表面における1,3-ブタジエン(C_4H_6)吸着状態の低温STMによる観察
- 31a-PS-12 ドーピングによるSi(100)表面ストレスの変化とステップ構造
- 7a-PS-23 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(100):B 表面の電子状態