中戸 義禮 | 阪大基礎工及び有機光セ
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概要
関連著者
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中戸 義禮
阪大基礎工及び有機光セ
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小林 光
阪大産研:科技団crest
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小林 光
阪大基礎工及び有機光セ
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山下 良之
阪大基礎工及び有機光セ
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西岡 泰城
日本TI筑波研究開発セ
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難波 健治
阪大・基礎工 有機光セ
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久保田 智広
東北大:理研
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久保田 智広
理研
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米田 健司
松下電子工業
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米田 健司
松下電子ULSIプロ開セ
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西岡 泰城
TI筑波研究開発セ
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久保田 智広
阪大基礎工及び有機光セ
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中戸 義禮
阪大・基礎工及び有機光セ
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難波 健治
阪大基礎工及び有機光セ
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森 利雄
阪大・基礎工
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戸所 義博
松下電子企画部
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戸所 義博
松下電子工業
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湯浅 俊郎
阪大基礎工及び有機光セ
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山中 一弘
阪大基礎工及び有機光セ
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山下 良之
阪大・基礎工及び有機光セ
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小林 光
阪大・基礎工 有機光セ
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森 利雄
阪大基礎工及び有機光セ
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湯浅 俊郎
阪大産研:科技団crest
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浅野 明
阪大 産研
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溝黒 登志子
大阪大学産業科学研究所:大阪大学有機光工学研究センター
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小林 光
科技団
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浅野 明
阪大基礎工及び有機光セ
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溝黒 登志子
阪大基礎工及び有機光セ
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戸所 義博
松下電器産業研究本部
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戸所 義博
松下電産研本
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中戸 義禮
大阪大学大学院基礎工学研究科物質創成専攻
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村越 敬
大阪大学大学院基礎工学研究科化学系専攻
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村越 敬
北海道大学大学院理学研究院化学部門
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西山 雅祥
大阪大学工作センター
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西山 雅祥
阪大工作セ
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川 英文
阪大基礎工
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西岡 泰城
テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
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小林 光
新技団
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久保田 智広
阪大・基礎工 有機光セ
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村越 敬
阪大基礎工
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溝黒 登志子
産業技術総合研究所
著作論文
- 1p-YE-14 Si/SiO_2界面の界面準位のエネルギー分布の酸化膜形成温度依存性 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 2a-YF-3 低速電子線衝撃により生成した窒素プラズマを用いるシリコンオキシナイトライド薄膜の低温形成 : 光電子分光法による観測
- 1p-YE-15 白金の触媒作用を用いたシリコンの低温酸化機構 : バイアス電圧依存性
- 6a-B-12 Si/SiO_2系におけるSi2pピークの結合エネルギーの酸化膜厚依存性
- 6a-B-13 シリコンのラフネスがシリコン/シリコン酸化膜界面のバンドギャップ内界面準位に及ぼす影響
- 5p-B-2 白金の触媒作用を用いたシリコン酸化膜の低温成長法
- 5a-A-3 Si/SiO_2界面の界面準位の密度汎関数法による第一原理理論計算
- シリコンのバンドギャップ内の界面準位 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 30a-PS-34 酸化膜のSi2p準位の界面準位に誘起されたシフトの観測
- 30a-PS-33 構造をもつMOSデバイスの界面準位とフェルミレベルピニング:バイアス印加時のXPSスペクトルの観測
- 28a-S-12 バイアス電圧印加時のXPS測定によるGaAsのバンドギャップ内の界面準位の直接観測
- 自発的表面ナノ超構造形成とその制御
- 2a-J-10 MOS型デバイスにおける半導体のバンドギャップ内の表面準位の観測 : バイアス電圧印加時のXPS測定II実験
- 2a-J-9 MOS型デバイスにおける半導体のバンドギャップ内の表面準位の観測 : バイアス電圧印加時のXPS測定I原理