2a-J-10 MOS型デバイスにおける半導体のバンドギャップ内の表面準位の観測 : バイアス電圧印加時のXPS測定II実験
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1994-08-16
著者
-
山下 良之
阪大基礎工及び有機光セ
-
中戸 義禮
阪大基礎工及び有機光セ
-
小林 光
阪大基礎工及び有機光セ
-
小林 光
阪大産研:科技団crest
-
難波 健治
阪大基礎工及び有機光セ
-
難波 健治
阪大・基礎工 有機光セ
-
森 利雄
阪大・基礎工
-
森 利雄
阪大基礎工及び有機光セ
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