23aWX-6 気相硝酸酸化法によるSiO_2/SiC構造の低温創製(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2010-08-18
著者
-
小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
-
岩佐 仁雄
阪大産研
-
松本 健俊
阪大産研
-
小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
-
松本 健俊
大阪大学産業科学研究所
-
小林 光
阪大産研:科技団crest
-
趙 恵淑
阪大産研
-
趙 惠淑
阪大産研:crest-jst
-
岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
-
小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
-
小林 光
阪大産研
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