20pXA-4 新規の硝酸法によるSiO_2/Si構造の低温形成(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2008-08-25
著者
-
小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
-
小林 光
大阪大学産業科学研究所
-
高橋 昌男
阪大産研
-
岩佐 仁雄
阪大産研
-
柳瀬 隆
阪大産研
-
松本 健俊
阪大産研
-
寺川 澄雄
阪大産研
-
小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
-
松本 健俊
大阪大学産業科学研究所
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
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寺川 澄雄
阪大産研:crest-jst
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岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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柳瀬 隆
阪大産研:科技振戦略基礎
-
Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
小林 光
阪大産研
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