岩佐 仁雄 | 阪大産研
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概要
関連著者
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研
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小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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小林 光
阪大産研
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小林 光
大阪大学産業科学研究所
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高橋 昌男
阪大産研
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
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Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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東 裕子
阪大産研
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松本 健俊
阪大産研
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松本 健俊
大阪大学産業科学研究所
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東 裕子
阪大産研:科技振・戦略基礎
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劉 〓伶
阪大産研
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劉 ★〓伶
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
阪大産研:科技団crest
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趙 惠淑
阪大産研:crest-jst
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マダニ モハマド
阪大産研
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柳瀬 隆
阪大産研
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寺川 澄雄
阪大産研
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田中 祐士
阪大産研
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寺川 澄雄
阪大産研:crest-jst
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趙 恵淑
阪大産研
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田中 峻介
阪大産研
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趙 惠淑
阪大産研
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マダニ モハマド
阪大産研:科技振・戦略基礎
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田中 峻介
阪大産研:crest-jst
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柳瀬 隆
阪大産研:科技振戦略基礎
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田中 祐士
阪大産研:crest-jst
著作論文
- 23aGP-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の銅除去 : 極微量汚染銅の化学結合状態(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYG-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の吸着Ni除去機構(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aXB-7 HCN水溶液による4H-SiC表面上の吸着金属の完全除去(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-4 新規の硝酸法によるSiO_2/Si構造の低温形成(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-4 硝酸酸化法による低温生成SiO_2膜の微構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWX-6 気相硝酸酸化法によるSiO_2/SiC構造の低温創製(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWX-5 気相硝酸酸化法により低温形成したSiO_2/Si構造の物性と電気特性(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-11 HCN水溶液による半導体表面清浄化 : 10^原子/cm^2オーダの銅の化学状態解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))