東 裕子 | 阪大産研:科技振・戦略基礎
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概要
関連著者
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
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東 裕子
阪大産研:科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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高橋 昌男
阪大産研
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東 裕子
阪大産研
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岩佐 仁雄
阪大産研
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小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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小林 光
阪大産研
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劉 〓伶
阪大産研
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劉 ★〓伶
阪大産研:科技振・戦略基礎
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高橋 昌男
大阪大学産業科学研究所
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東 裕子
大阪大学産業科学研究所
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成田 比呂晃
大阪大学産業科学研究所
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岩佐 仁雄
大阪大学産業科学研究所
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小林 光
阪大産研:科技団crest
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成田 比呂晃
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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高橋 昌男
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
著作論文
- 23aGP-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の銅除去 : 極微量汚染銅の化学結合状態(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYG-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の吸着Ni除去機構(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 23aWS-11 HCN水溶液による半導体表面清浄化 : 10^原子/cm^2オーダの銅の化学状態解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))