岩佐 仁雄 | 阪大産研:科技振・戦略基礎
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概要
関連著者
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
-
高橋 昌男
阪大産研
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小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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岩佐 仁雄
阪大産研
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小林 光
阪大産研
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劉 ★〓伶
阪大産研:科技振・戦略基礎
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東 裕子
阪大産研:科技振・戦略基礎
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東 裕子
阪大産研
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松本 健俊
阪大産研
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松本 健俊
大阪大学産業科学研究所
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小林 光
阪大産研:科技団crest
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劉 〓伶
阪大産研
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高橋 昌男
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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劉 ★〓伶
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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中村 唯生
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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小林 光
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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趙 惠淑
阪大産研:crest-jst
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マダニ モハマド
阪大産研
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柳瀬 隆
阪大産研
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寺川 澄雄
阪大産研
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田中 祐士
阪大産研
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高橋 昌男
阪大産研,科技振・戦略基礎
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任 星淳
阪大産研,科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研,科技振・戦略基礎
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藤原 直澄
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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深山 権一
阪大産研及び科技振・戦略基礎
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寺川 澄雄
阪大産研:crest-jst
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高橋 昌男
大阪大学産業科学研究所
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東 裕子
大阪大学産業科学研究所
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成田 比呂晃
大阪大学産業科学研究所
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岩佐 仁雄
大阪大学産業科学研究所
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任 星淳
阪大産研:科技振・戦略基礎
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趙 恵淑
阪大産研
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田中 峻介
阪大産研
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趙 惠淑
阪大産研
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成田 比呂晃
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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マダニ モハマド
阪大産研:科技振・戦略基礎
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田中 峻介
阪大産研:crest-jst
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高橋 昌男
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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柳瀬 隆
阪大産研:科技振戦略基礎
-
田中 祐士
阪大産研:crest-jst
著作論文
- 23aGP-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の銅除去 : 極微量汚染銅の化学結合状態(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYG-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の吸着Ni除去機構(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aXB-7 HCN水溶液による4H-SiC表面上の吸着金属の完全除去(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-4 新規の硝酸法によるSiO_2/Si構造の低温形成(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-4 硝酸酸化法による低温生成SiO_2膜の微構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pWB-6 シアン化物溶液中での電気化学酸化法によるシリコンオキシナイトライド膜の低温創製(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-6 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (2) : 銅洗浄機構(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15pXG-5 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (1) : 銅とニッケル(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 23aWX-6 気相硝酸酸化法によるSiO_2/SiC構造の低温創製(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWX-5 気相硝酸酸化法により低温形成したSiO_2/Si構造の物性と電気特性(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-11 HCN水溶液による半導体表面清浄化 : 10^原子/cm^2オーダの銅の化学状態解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))