松本 健俊 | 大阪大学産業科学研究所
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概要
関連著者
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松本 健俊
大阪大学産業科学研究所
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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小林 光
大阪大学産業科学研究所
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松本 健俊
阪大産研
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小林 光
阪大産研:crest-jst
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小林 光
阪大産研
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小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研
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金 佑柄
大阪大学産業科学研究所
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趙 惠淑
阪大産研:crest-jst
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岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
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高橋 昌男
阪大産研
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寺川 澄雄
阪大産研
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寺川 澄雄
阪大産研:crest-jst
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小林 光
阪大産研:科技団crest
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趙 惠淑
阪大産研
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松本 健俊
自然科学研究機構分子科学研究所分子スケールナノサイエンスセンター
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Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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柳瀬 隆
阪大産研
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中村 潤児
筑波大学物質工学系
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岩田 隆
阪大産研
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今村 健太郎
大阪大学産業科学研究所
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
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中村 潤児
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中村 潤児
筑波大学大学院数理物質科学研究科物性分子工学専攻
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中野 美尚
筑波大学大学院数理物質科学研究科物性・分子工学専攻
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平島 秀水
筑波大院数物
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北田 暁彦
筑波大院数物
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北田 暁彦
筑波大学大学院数理物質科学研究科物性・分子工学専攻
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平島 秀水
筑波大学大学院数理物質科学研究科物性・分子工学専攻
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小川 淳也
筑波大学大学院数理物質科学研究科物性・分子工学専攻
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松本 健俊
筑波大学大学院数理物質科学研究科物性・分子工学専攻
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趙 恵淑
阪大産研
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田中 峻介
阪大産研
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岩田 隆
阪大産研:crest-jst
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田中 峻介
阪大産研:crest-jst
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柳瀬 隆
阪大産研:科技振戦略基礎
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金 佑柄
阪大産研:crest-jst
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前田 譲章
大阪大学産業科学研究所
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王 カイ
阪大産研
-
今村 健太郎
阪大産研
著作論文
- 20pXA-4 新規の硝酸法によるSiO_2/Si構造の低温形成(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pYG-2 硝酸酸化法によるAl_2O_3/Al構造の室温形成(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aYG-11 98%硝酸で形成した低リーク電流を持つ極薄SiO_2/Si構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 硝酸溶液を用いたSi表面上へのSiO_2酸化薄膜の低温形成と酸化膜の電気特性評価
- 25pTD-1 硝酸酸化法による低リーク電流を持つ極薄SiO_2/Si(111)超平坦界面構造の創製(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ステップエッジと触媒活性 : Ni(111) 上でのH_2SおよびCOの解離
- 23aWX-6 気相硝酸酸化法によるSiO_2/SiC構造の低温創製(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWX-5 気相硝酸酸化法により低温形成したSiO_2/Si構造の物性と電気特性(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 硝酸酸化極薄膜とCVD-SiO_2薄膜の積層型ゲート酸化膜を用いた超低消費電力型薄膜トランジスタの創製
- 24aHA-5 物理粉砕法により形成したシリコンナノ粒子の表面観察とpn接合の形成(24aHA 表面ナノ構造量子物性(微粒子・クラスタ),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pHA-2 SiC(0001)表面(Si面)とSiC(000-1)表面(C面)の気相硝酸酸化反応のメカニズムの解明(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 金属酸化物上の金属微粒子をモデル触媒とした研究の動向
- 24pCC-11 シアン化処理法を用いた欠陥除去と洗浄による太陽電池用シリコン基板のライタイムの向上(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pJA-6 シリコン源を用いた硝酸酸化法によるSiO_2/Si構造の形成メカニズムとその特性(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))