趙 惠淑 | 阪大産研:crest-jst

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概要

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関連著者

• 小林 光

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 松本 健俊

  阪大産研

• 小林 光

  阪大産研,科技振・戦略基礎

• 松本 健俊

  大阪大学産業科学研究所

• 趙 惠淑

  阪大産研:crest-jst

• 小林 光

  大阪大学産業科学研究所:crest-jst

• 小林 光

  阪大産研

• 岩佐 仁雄

  阪大産研

• 小林 光

  阪大産研:科技団crest

• 趙 惠淑

  阪大産研

• 岩佐 仁雄

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 金 佑柄

  大阪大学産業科学研究所

• 趙 恵淑

  阪大産研

• 田中 峻介

  阪大産研

• 小林 光

  阪大産研:crest-jst

• 田中 峻介

  阪大産研:crest-jst

• 金 佑柄

  阪大産研:crest-jst

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著作論文

• 23aWX-6 気相硝酸酸化法によるSiO_2/SiC構造の低温創製(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWX-5 気相硝酸酸化法により低温形成したSiO_2/Si構造の物性と電気特性(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-2 SiC(0001)表面(Si面)とSiC(000-1)表面(C面)の気相硝酸酸化反応のメカニズムの解明(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))

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