21pHA-2 SiC(0001)表面(Si面)とSiC(000-1)表面(C面)の気相硝酸酸化反応のメカニズムの解明(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2011-08-24
著者
-
小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
-
松本 健俊
阪大産研
-
小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
-
金 佑柄
大阪大学産業科学研究所
-
松本 健俊
大阪大学産業科学研究所
-
趙 惠淑
阪大産研
-
小林 光
阪大産研:crest-jst
-
趙 惠淑
阪大産研:crest-jst
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小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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金 佑柄
阪大産研:crest-jst
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小林 光
阪大産研
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