24pWB-6 シアン化物溶液中での電気化学酸化法によるシリコンオキシナイトライド膜の低温創製(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-03-04
著者
-
小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
-
小林 光
大阪大学産業科学研究所
-
高橋 昌男
阪大産研
-
高橋 昌男
阪大産研,科技振・戦略基礎
-
任 星淳
阪大産研,科技振・戦略基礎
-
岩佐 仁雄
阪大産研,科技振・戦略基礎
-
小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
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任 星淳
阪大産研:科技振・戦略基礎
-
岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
-
Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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