高橋 昌男 | 阪大産研:科技振・戦略基礎

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概要

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関連著者

• 高橋 昌男

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 高橋 昌男

  阪大産研

• 小林 光

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• Takahashi Masao

  The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University

• 小林 光

  大阪大学産業科学研究所

• 小林 光

  大阪大学産業科学研究所:crest-jst

• 小林 光

  阪大産研,科技振・戦略基礎

• 小林 光

  阪大産研

• 岩佐 仁雄

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 岩佐 仁雄

  阪大産研

• 小林 光

  阪大産研:科技団crest

• 高橋 昌男

  大阪大学産業科学研究所:crest-jst

• 高橋 昌男

  大阪大学産業科学研究所

• 森本 正太郎

  大阪大谷大

• 那須 三郎

  阪大基礎工

• 那須 三郎

  JAEA・先端基礎

• 川上 隆輝

  日大理工

• 川上 隆輝

  日本大 量子科研

• 劉 〓伶

  阪大産研

• 劉 ★〓伶

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 吉川 信一

  阪大産研

• 吉川 信一

  北海道大学大学院工学研究科

• 東 裕子

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 那須 三郎

  大阪大学基礎工学部

• 那須 三郎

  大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻物性物理科学分野

• 那須 三郎

  京大化研

• 東 裕子

  阪大産研

• 吉川 信一

  大阪大学産業科学研究所

• 那須 三郎

  大阪大 大学院

• 那須 三郎

  大阪大学

• Sato N

  Tohoku Univ.

• Morimoto Setsu

  Department Of Physics Fculty Of Science Ochanomizu University

• 毎田 修

  大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻

• 成田 比呂晃

  大阪大学産業科学研究所:crest-jst

• 毎田 修

  阪大産研:科枝団CREST

• 斎藤 直

  大阪大RIセンター

• マダニ モハマド

  阪大産研

• 成田 比呂晃

  阪大産研

• 高橋 昌男

  阪大産研及び科技振・戦略基礎

• 劉 ★〓伶

  阪大産研及び科技振・戦略基礎

• 中村 唯生

  阪大産研及び科技振・戦略基礎

• 岩佐 仁雄

  阪大産研及び科技振・戦略基礎

• 小林 光

  阪大産研及び科技振・戦略基礎

• 毎田 修

  阪大産研

• 斎藤 直

  阪大RIセンター

• 小林 裕和

  日大理工

• 森本 正太郎

  阪大基礎工

• 劉 〓伶

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 渡辺 巌

  大阪女子大学理学部

• 伊藤 麻美

  日大院理工

• 原田 誠

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 任 星淳

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 柳瀬 悦也

  川崎重工業(株)技術研究所

• 渡辺 巌

  大阪大学大学院理学研究科化学専攻

• 原田 誠

  大阪大学大学院理学研究科化学専攻

• 渡辺 巌

  大阪府立大学大学院理学系研究科分子科学専攻

• 渡辺 巌

  阪大院理

• マダニ モハマド

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 柳瀬 悦也

  川崎重工業 技研

• Kikkawa Shinichi

  Graduate School Of Engineering Hokkaido Univ.

• 柳瀬 悦也

  川崎重工業

• 斎藤 直

  阪大RIセ

• 中嶋 誠

  東大物性研

• 柳瀬 隆

  阪大産研

• 松本 健俊

  阪大産研

• 寺川 澄雄

  阪大産研

• 任 星淳

  阪大産研

• 田中 祐士

  阪大産研

• 高橋 昌男

  阪大産研,科技振・戦略基礎

• 任 星淳

  阪大産研,科技振・戦略基礎

• 岩佐 仁雄

  阪大産研,科技振・戦略基礎

• アスハ (長山)

  阪大産研、科技振CREST

• 高橋 昌男

  阪大産研、科技振CREST

• 小林 光

  阪大産研、科技振CREST

• 藤原 直澄

  阪大産研及び科技振・戦略基礎

• 深山 権一

  阪大産研及び科技振・戦略基礎

• 湯浅 俊郎

  阪大産研

• 金丸 文一

  大阪大学産業科学研究所

• 播磨 弘

  阪大工

• 石川 貴明

  日大理工

• 松本 健俊

  大阪大学産業科学研究所

• 寺川 澄雄

  阪大産研:crest-jst

• 川端 淳司

  阪府大総科

• 多賀谷 公仁

  阪府大総科

• 隅谷 大作

  阪府大総科

• 笹倉 裕之

  浜松医大物理

• 笹倉 裕之

  浜松医大医

• 橋本 泰宏

  松下電器産業(株)

• 中嶋 誠

  阪大工

• 東 裕子

  大阪大学産業科学研究所

• 成田 比呂晃

  大阪大学産業科学研究所

• 岩佐 仁雄

  大阪大学産業科学研究所

• 山本 融

  大阪大学産業科学研究所

• 斉藤 直

  阪大RIセンター

• 宮永 崇史

  弘前大学理工学部物質理工学科

• Nasu Saburo

  Department Of Material Physics Faculty Of Engineering Science Osaka University

• Noguchi S

  Department Of Physics And Electronics Osaka Prefecture University

• 斉藤 直

  阪大riセ

• 金丸 文一

  新潟大学

• 東海 正國

  川崎重工業株式会社

• 嵩 良徳

  川崎重工業(株) 関東技研

• 崎山 雅行

  川崎重工業(株) 関東技研

• 橋本 泰宏

  松下電器産業中央研究所

• 溝口 康彦

  大阪大学大学院理学研究科化学専攻

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学学芸学部電子情報工学科

• 高橋 昌男

  阪大工

• Liu Yueh

  阪大産研

• 井上 森雄

  阪大産研

• 伊藤 麻美

  日大理工

• 金丸 文一

  大阪大学産業科学研究所教授

• 井上 森雄

  阪大産研:科技団crest

• Liu Yueh

  阪大産研:科技団crest

• 嵩 良徳

  川崎重工業(株)

• 東海 正國

  川崎重工業

• 東海 正國

  川崎重工業株式会社関東技術研究所

• 高橋 昌男

  大阪大学 産業科学研究所

• 湯浅 俊郎

  阪大産研:科技団crest

• 柳瀬 隆

  阪大産研:科技振戦略基礎

• 崎山 雅行

  川崎重工業 技研

• 田中 祐士

  阪大産研:crest-jst

• 那須 三郎

  Jaea先端基礎

• Nasu Saburo

  Division Of Materials Physics Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science

• Nasu Saburo

  Faculty of Engineering Science,Osaka University

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著作論文

• 23aGP-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の銅除去 : 極微量汚染銅の化学結合状態(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYG-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の吸着Ni除去機構(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aXB-7 HCN水溶液による4H-SiC表面上の吸着金属の完全除去(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXA-4 新規の硝酸法によるSiO_2/Si構造の低温形成(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-13 HCN溶液によるシリコン表面上の吸着銅の完全除去と表面形態制御(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aTG-8 硝酸酸化法で形成したSiO_2/SiC構造の表面・界面 : 水素処理の効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27aYB-4 硝酸酸化法による低温生成SiO_2膜の微構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pYE-7 シアン化物イオンによるSi表面の金属脱離(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pWB-6 シアン化物溶液中での電気化学酸化法によるシリコンオキシナイトライド膜の低温創製(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-130 シリコンの低温化学酸化によるSiO_2厚膜の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXG-6 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (2) : 銅洗浄機構(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 15pXG-5 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (1) : 銅とニッケル(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 20aPS-14 化学的手法による SiO_2/Si 構造の低温形成と分光学的観測
• シアン処理によるシリコン欠陥準位の消滅と太陽電池の高性能化 (特集 大阪大学産業科学研究所 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(2))
• 21pPSA-51 高圧下におけるγ'-Fe_4Nのメスバウアー分光測定(21pPSA 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22aPS-34 γ'-Fe_4Nの高圧下メスバウアー分光測定(領域3ポスターセッション(f電子,遍歴,化合物,酸化物,磁性一般,表面・界面),領域3,磁性,磁気共鳴)
• (Pb, Cu)(Sr, La)_2(Gd, La)_2Cu_2O_z, (Bi, Cu)Sr_2(Er, Ce)_2Cu_2O_zの示す弱い超伝導性
• 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 23aWS-11 HCN水溶液による半導体表面清浄化 : 10^原子/cm^2オーダの銅の化学状態解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• (La_Ln_x)_2O_2CN_2(Ln=Pr, Sm, Eu, Tb)の合成と蛍光特性
• セラミックスや合金の転換電子収量XAFS(セラミック材料)
• 遷移金属を含む複窒化物(Nb_Ga_x) N, ANiN およびA_3CoN_3 (A : アルカリ土類金属)の生成
• 25pXD-4 GaAsにおけるコヒーレントフォノンの生成駆動力の実時間観測
• 28pPSB-19 化学的手法による極薄 SiO_2/Si 構造の低温形成とリーク電流密度の低減
• 19pPSB-14 化学的に形成した極薄SiO_2/Si構造の原子密度と価電子帯
• 18pTB-7 高圧下メスバウアー分光測定を用いたγ'-Fe_4Nの磁気的性質(18pTB 磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 12pWB-6 γ'-Fe_4N の高圧下メスバウアー分光(化合物磁性, 磁性半導体・絶縁体, 実験技術開発, 磁気共鳴一般, 磁性一般, 領域 3)
• 大気圧Heイオン収量X線吸収微細構造法(XAFS)による薄膜試料の分析
• 欠陥終端化機能を有する半導体表面洗浄法による半導体デバイスの高性能化

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