松本 健俊 | 阪大産研

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• 松本 健俊

  大阪大学産業科学研究所

• 小林 光

  阪大産研

• 小林 光

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 小林 光

  阪大産研,科技振・戦略基礎

• 小林 光

  大阪大学産業科学研究所:crest-jst

• 岩佐 仁雄

  阪大産研

• 趙 惠淑

  阪大産研:crest-jst

• 岩佐 仁雄

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 小林 光

  大阪大学産業科学研究所

• 高橋 昌男

  阪大産研

• 寺川 澄雄

  阪大産研

• 寺川 澄雄

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• 小林 光

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• 趙 惠淑

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• 小林 光

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• Takahashi Masao

  The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University

• 柳瀬 隆

  阪大産研

• 岩田 隆

  阪大産研

• 金 佑柄

  大阪大学産業科学研究所

• 高橋 昌男

  阪大産研:科技振・戦略基礎

• 趙 恵淑

  阪大産研

• 田中 峻介

  阪大産研

• 岩田 隆

  阪大産研:crest-jst

• 田中 峻介

  阪大産研:crest-jst

• 柳瀬 隆

  阪大産研:科技振戦略基礎

• 金 佑柄

  阪大産研:crest-jst

• 王 カイ

  阪大産研

• 今村 健太郎

  阪大産研

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著作論文

• 20pXA-4 新規の硝酸法によるSiO_2/Si構造の低温形成(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pYG-2 硝酸酸化法によるAl_2O_3/Al構造の室温形成(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aWX-6 気相硝酸酸化法によるSiO_2/SiC構造の低温創製(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWX-5 気相硝酸酸化法により低温形成したSiO_2/Si構造の物性と電気特性(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-2 SiC(0001)表面(Si面)とSiC(000-1)表面(C面)の気相硝酸酸化反応のメカニズムの解明(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pCC-11 シアン化処理法を用いた欠陥除去と洗浄による太陽電池用シリコン基板のライタイムの向上(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pJA-6 シリコン源を用いた硝酸酸化法によるSiO_2/Si構造の形成メカニズムとその特性(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

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