28pJA-6 シリコン源を用いた硝酸酸化法によるSiO_2/Si構造の形成メカニズムとその特性(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2013-08-26

著者

• 松本 健俊

  阪大産研

• 松本 健俊

  大阪大学産業科学研究所

• 小林 光

  阪大産研

• 今村 健太郎

  阪大産研

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