28pPSB-19 化学的手法による極薄 SiO_2/Si 構造の低温形成とリーク電流密度の低減
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-03-06
著者
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
-
小林 光
大阪大学産業科学研究所
-
高橋 昌男
阪大産研
-
小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
-
毎田 修
阪大産研
-
高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
-
Liu Yueh
阪大産研
-
井上 森雄
阪大産研
-
井上 森雄
阪大産研:科技団crest
-
Liu Yueh
阪大産研:科技団crest
-
毎田 修
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
小林 光
阪大産研
-
毎田 修
阪大産研:科枝団CREST
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