Ultrathin Silicon Oxynitride Layers with a Low Leakage Current Density Formed by Plasma Nitridation Using Low Energy Electron Impact and Chemical Oxidation
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概要
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- 2001-09-25
著者
-
Tamura Masafumi
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
TAKAHASHI Masao
The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University
-
Maida Osamu
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
ASANO Akira
The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University
-
KOBAYASHI Hikaru
The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University
-
Asano Akira
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Kobayashi Hikaru
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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