23aXB-7 HCN水溶液による4H-SiC表面上の吸着金属の完全除去(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2008-08-25
著者
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所
-
高橋 昌男
阪大産研
-
岩佐 仁雄
阪大産研
-
劉 〓伶
阪大産研
-
マダニ モハマド
阪大産研
-
小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
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劉 ★〓伶
阪大産研:科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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マダニ モハマド
阪大産研:科技振・戦略基礎
-
Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
小林 光
阪大産研
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