23aGP-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の銅除去 : 極微量汚染銅の化学結合状態(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2010-03-01
著者
-
小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所
-
高橋 昌男
阪大産研
-
東 裕子
阪大産研
-
岩佐 仁雄
阪大産研
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小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
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東 裕子
阪大産研:科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
-
Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
小林 光
阪大産研
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