小林 光 | 阪大産研,科技振・戦略基礎
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概要
関連著者
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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小林 光
阪大産研
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小林 光
大阪大学産業科学研究所
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小林 光
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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高橋 昌男
阪大産研
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
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Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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小林 光
阪大産研:科技団crest
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岩佐 仁雄
阪大産研:科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研
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松本 健俊
阪大産研
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毎田 修
阪大産研
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松本 健俊
大阪大学産業科学研究所
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毎田 修
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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毎田 修
阪大産研:科枝団CREST
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劉 〓伶
阪大産研
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東 裕子
阪大産研
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湯浅 俊郎
阪大産研
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米田 健司
松下電子工業
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東 裕子
阪大産研:科技振・戦略基礎
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趙 惠淑
阪大産研:crest-jst
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湯浅 俊郎
阪大産研:科技団crest
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マダニ モハマド
阪大産研
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寺川 澄雄
阪大産研
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成田 比呂晃
阪大産研
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西岡 泰城
日本TI筑波研究開発セ
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寺川 澄雄
阪大産研:crest-jst
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劉 ★〓伶
阪大産研:科技振・戦略基礎
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劉 〓伶
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 琢也
阪大産研:科技振・戦略基礎
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任 星淳
阪大産研:科技振・戦略基礎
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趙 惠淑
阪大産研
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小林 光
阪大産研:crest-jst
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成田 比呂晃
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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マダニ モハマド
阪大産研:科技振・戦略基礎
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高橋 昌男
大阪大学産業科学研究所:crest-jst
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柳瀬 隆
阪大産研
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任 星淳
阪大産研
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田中 祐士
阪大産研
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高橋 昌男
阪大産研,科技振・戦略基礎
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任 星淳
阪大産研,科技振・戦略基礎
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岩佐 仁雄
阪大産研,科技振・戦略基礎
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櫻井 岳暁
阪大産研
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Vasconcelos Elder
埼玉大工
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勝部 昭明
埼玉大工
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金崎 恵美
阪大産研
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米田 健司
松下電子ULSIプロ開セ
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西谷 幹彦
松下電産ディスプレイ開発セ
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戸所 義博
松下電子企画部
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戸所 義博
松下電子工業
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櫻井 岳暁
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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岩田 隆
阪大産研
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金 佑柄
大阪大学産業科学研究所
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西岡 泰城
TIつくば研究セ
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久保田 智広
東北大:理研
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西山 雅祥
大阪大学工作センター
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西山 雅祥
阪大工作セ
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浅田 真也
阪大産研
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川 英文
阪大基礎工
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小林 琢也
阪大基礎工
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田中 和樹
阪大産研:科技振・戦略基礎
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久保田 智広
阪大産研
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岡藤 麻子
阪大産研
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久保田 智広
理研
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岡藤 麻子
大阪大学大学院理学研究科生物科学専攻
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Liu Yueh
阪大産研
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井上 森雄
阪大産研
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趙 恵淑
阪大産研
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田中 峻介
阪大産研
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井上 森雄
阪大産研:科技団crest
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Liu Yueh
阪大産研:科技団crest
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岩田 隆
阪大産研:crest-jst
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田中 峻介
阪大産研:crest-jst
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柳瀬 隆
阪大産研:科技振戦略基礎
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田中 祐士
阪大産研:crest-jst
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金 佑柄
阪大産研:crest-jst
著作論文
- 23aGP-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の銅除去 : 極微量汚染銅の化学結合状態(23aGP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aYG-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の吸着Ni除去機構(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aXB-7 HCN水溶液による4H-SiC表面上の吸着金属の完全除去(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-4 新規の硝酸法によるSiO_2/Si構造の低温形成(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aTD-13 HCN溶液によるシリコン表面上の吸着銅の完全除去と表面形態制御(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aTG-8 硝酸酸化法で形成したSiO_2/SiC構造の表面・界面 : 水素処理の効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYB-4 硝酸酸化法による低温生成SiO_2膜の微構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-7 シアン化物イオンによるSi表面の金属脱離(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pWB-6 シアン化物溶液中での電気化学酸化法によるシリコンオキシナイトライド膜の低温創製(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 20aPS-14 化学的手法による SiO_2/Si 構造の低温形成と分光学的観測
- 29pPSA-7 化学的手法で形成した極薄SiO_2膜の物性とリーク電流低減
- 27aXE-10 白金の触媒作用を用いたSi/SiO_2界面の平坦化とリーク電流の低減
- 22aWB-8 バイアス印加XPS法を用いた6H-Sic界面準位の観測
- 27aW-4 シアン処理による多結晶シリコン中の欠陥準位の除去と光電変換素子の高効率化
- 28pYG-2 硝酸酸化法によるAl_2O_3/Al構造の室温形成(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28a-YR-13 X線光電子分光法による固液界面の観測
- 28p-YR-1 GaAs/絶縁物界面に存在する界面準位のKCN処理による低減
- 15pXE-2 バイアス印加 XPS 法による極薄シリコンオキシナイトライド膜/シリコン界面の界面準位の観測(表面界面電子物性, 領域 9)
- 23aWX-6 気相硝酸酸化法によるSiO_2/SiC構造の低温創製(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWX-5 気相硝酸酸化法により低温形成したSiO_2/Si構造の物性と電気特性(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-11 HCN水溶液による半導体表面清浄化 : 10^原子/cm^2オーダの銅の化学状態解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSB-19 化学的手法による極薄 SiO_2/Si 構造の低温形成とリーク電流密度の低減
- 19pPSB-14 化学的に形成した極薄SiO_2/Si構造の原子密度と価電子帯
- 21pHA-2 SiC(0001)表面(Si面)とSiC(000-1)表面(C面)の気相硝酸酸化反応のメカニズムの解明(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))