毎田 修 | 阪大産研
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概要
関連著者
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毎田 修
阪大産研
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小林 光
阪大産研
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毎田 修
阪大産研:科枝団CREST
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小林 光
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
阪大産研,科技振・戦略基礎
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毎田 修
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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小林 光
大阪大学産業科学研究所
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高橋 昌男
阪大産研
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湯浅 俊郎
阪大産研
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湯浅 俊郎
阪大産研:科技団crest
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米田 健司
松下電子工業
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高橋 昌男
阪大産研:科技振・戦略基礎
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小林 光
阪大産研:科技団crest
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浅野 明
阪大産研
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小林 琢也
阪大産研:科技振・戦略基礎
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田中 和樹
阪大産研:科技振・戦略基礎
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岡藤 麻子
阪大産研
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岡藤 麻子
大阪大学大学院理学研究科生物科学専攻
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Liu Yueh
阪大産研
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井上 森雄
阪大産研
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井上 森雄
阪大産研:科技団crest
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Liu Yueh
阪大産研:科技団crest
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Takahashi Masao
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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溝黒 登志子
阪大産研:
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小林 光
阪大産研:
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小林 光
阪大産研:科枝団CREST
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高橋 昌男
阪大産研:
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毎田 修
阪大産研:
著作論文
- 29pPSA-7 化学的手法で形成した極薄SiO_2膜の物性とリーク電流低減
- 27aXE-10 白金の触媒作用を用いたSi/SiO_2界面の平坦化とリーク電流の低減
- 15pXE-2 バイアス印加 XPS 法による極薄シリコンオキシナイトライド膜/シリコン界面の界面準位の観測(表面界面電子物性, 領域 9)
- 28pPSB-19 化学的手法による極薄 SiO_2/Si 構造の低温形成とリーク電流密度の低減
- 19pPSB-14 化学的に形成した極薄SiO_2/Si構造の原子密度と価電子帯
- 8aSM-12 低速電子線衝撃で作製したシリコンオキシナイトライド膜中の化学種 : XPSと密度汎関数法による決定(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 6pPSB-25 シアン処理によるMOS構造のリーク電流密度の低減効果(表面界面結晶成長,領域9)