8aSM-12 低速電子線衝撃で作製したシリコンオキシナイトライド膜中の化学種 : XPSと密度汎関数法による決定(表面界面構造・電子物性,領域9)

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-08-13

著者

• 高橋 昌男

  阪大産研

• 毎田 修

  阪大産研

• 小林 光

  阪大産研

• 溝黒 登志子

  阪大産研:

• 小林 光

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• 高橋 昌男

  阪大産研:

• 毎田 修

  阪大産研:

• 毎田 修

  阪大産研:科枝団CREST

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