シリコンのバンドギャップ内の界面準位 : バイアス電圧印加時のXPS測定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-09-13
著者
-
西岡 泰城
日本TI筑波研究開発セ
-
中戸 義禮
阪大基礎工及び有機光セ
-
小林 光
阪大産研:科技団crest
-
西岡 泰城
テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター
-
小林 光
新技団
-
山下 良之
阪大・基礎工及び有機光セ
-
中戸 義禮
阪大・基礎工及び有機光セ
関連論文
- 19aTG-8 硝酸酸化法で形成したSiO_2/SiC構造の表面・界面 : 水素処理の効果(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aPS-130 シリコンの低温化学酸化によるSiO_2厚膜の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 20aPS-14 化学的手法による SiO_2/Si 構造の低温形成と分光学的観測
- シアン処理によるシリコン欠陥準位の消滅と太陽電池の高性能化 (特集 大阪大学産業科学研究所 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(2))
- 29pPSA-7 化学的手法で形成した極薄SiO_2膜の物性とリーク電流低減
- 27aXE-10 白金の触媒作用を用いたSi/SiO_2界面の平坦化とリーク電流の低減
- 22aWB-8 バイアス印加XPS法を用いた6H-Sic界面準位の観測
- 27aW-4 シアン処理による多結晶シリコン中の欠陥準位の除去と光電変換素子の高効率化
- 28p-S-7 低速電子線衝撃により生成した窒素プラズマを用いたシリコンの低温窒化の機構
- 28p-S-1 Si/SiO_2界面の界面準位と酸化膜の原子密度 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 28a-YR-12 Si/SiO_2界面の界面準位と酸化膜の原子密度及び界面のラフネスの関係
- 1p-YE-14 Si/SiO_2界面の界面準位のエネルギー分布の酸化膜形成温度依存性 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 2a-YF-3 低速電子線衝撃により生成した窒素プラズマを用いるシリコンオキシナイトライド薄膜の低温形成 : 光電子分光法による観測
- 1p-YE-15 白金の触媒作用を用いたシリコンの低温酸化機構 : バイアス電圧依存性
- 6a-B-12 Si/SiO_2系におけるSi2pピークの結合エネルギーの酸化膜厚依存性
- 欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染銅除去(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 28p-YR-1 GaAs/絶縁物界面に存在する界面準位のKCN処理による低減
- 8a-B-7 XPSを用いる界面準位の新しい観測方法とその理論計算
- 6a-B-13 シリコンのラフネスがシリコン/シリコン酸化膜界面のバンドギャップ内界面準位に及ぼす影響
- 5p-B-2 白金の触媒作用を用いたシリコン酸化膜の低温成長法
- 5a-A-3 Si/SiO_2界面の界面準位の密度汎関数法による第一原理理論計算
- シリコンのバンドギャップ内の界面準位 : バイアス電圧印加時のXPS測定
- 30a-PS-34 酸化膜のSi2p準位の界面準位に誘起されたシフトの観測
- 30a-PS-33 構造をもつMOSデバイスの界面準位とフェルミレベルピニング:バイアス印加時のXPSスペクトルの観測
- 28a-S-12 バイアス電圧印加時のXPS測定によるGaAsのバンドギャップ内の界面準位の直接観測
- 24aW-12 Ni(100)表面における1,3-ブタジエン(C_4H_6)吸着状態の低温STMによる観察
- 31a-PS-12 ドーピングによるSi(100)表面ストレスの変化とステップ構造
- 7a-PS-23 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(100):B 表面の電子状態
- 23aWX-6 気相硝酸酸化法によるSiO_2/SiC構造の低温創製(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWX-5 気相硝酸酸化法により低温形成したSiO_2/Si構造の物性と電気特性(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- (La_Ln_x)_2O_2CN_2(Ln=Pr, Sm, Eu, Tb)の合成と蛍光特性
- 自発的表面ナノ超構造形成とその制御
- 2a-J-10 MOS型デバイスにおける半導体のバンドギャップ内の表面準位の観測 : バイアス電圧印加時のXPS測定II実験
- 2a-J-9 MOS型デバイスにおける半導体のバンドギャップ内の表面準位の観測 : バイアス電圧印加時のXPS測定I原理
- 光電気化学がめざすもの--エネルギ-・環境問題に挑む(第2回国際シンポジウム--光電気化学のニュ-トレンド) (1994年の化学-6-)