シミュレーションを用いたポリシリコンゲート・エッチングのプロファイル制御
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概要
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MOSトランジスタのポリシリコン・ゲート・エッチングにおいて、孤立パターンとL&Sパターンの内側パターンに対し、これらをほぼ同一の寸法で仕上げ、かつ垂直な形状が実現されるためのプロファイル制御機構を、エッチング形状シミュレーションという手法を用いることにより定性的に調べた。表面各点の時々刻々変化する巨視的な吸着粒子層の状態を考慮し、この吸着粒子層と入射するラジカルやイオンとの相互作用から、エッチング反応レートを評価するモデルをシミュレーションに取り込んでいる。例えば、エッチング後の孤立パターン寸法がL&Sの内側パターン寸法及びレジストマスク寸法より大きい場合には、ガス排気量を増加させる方法、あるいは基板温度を上げる方法等が有効である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-08-17
著者
-
三坂 章夫
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
中川 秀夫
超先端電子技術開発機構
-
久保田 正文
松下電器産業(株)
-
服藤 憲司
松下電器産業(株)
-
中川 秀夫
松下電器産業(株)
-
大國 充弘
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
三坂 章夫
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
久保田 正文
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
服藤 憲司
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
大國 充弘
松下電器産業(株)
-
三坂 章夫
松下電器産業(株)
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