新しい表面反応モデルを取り入れたドライエッチングシミュレーション
スポンサーリンク
概要
著者
-
三坂 章夫
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
野村 登
松下電器産業株式会社材料研究所
-
久保田 正文
松下電器産業(株)
-
服藤 憲司
松下電器産業(株)
-
野村 登
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
三坂 章夫
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
久保田 正文
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
野村 登
松下電器産業 半導体研セ
-
服藤 憲司
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
三坂 章夫
松下電器産業(株)
関連論文
- 光リソグラフィプロセスの統計的設計のための応答曲面関数(RSF)の導出
- マスクエンハンサーを用いた45nmノードリソグラフィ(半導体Si及び関連材料・評価)
- 1)シャントバイアス磁気抵抗効果形(MR)再生ヘッド(録画研究会(第43回))
- シャントバイアス磁気抵抗効果型再生ヘッド
- 6-9 超狭トラックヘッドによる高面密度記録再生
- 反応性スパッタ法によるHfO_2膜の作製と電気特性評価
- シミュレーションを用いたポリシリコンゲートエッチングにおける形状と寸法の制御解析
- シミュレーションを用いたポリシリコンゲート・エッチングのプロファイル制御
- 新しい表面反応モデルを取り入れたドライエッチングシミュレーション
- 電子ビ-ム直接描画のための近接効果補正システム (半導体-2-バイポ-ラ 化合物半導体 製造技術 品質技術) -- (製造技術・品質技術)
- ドライエッチングのモデリングとシミュレーション
- ICNS-4, GaN及び関連の窒化物半導体の材料技術及びプロセス, デバイス技術に関する国際会議