マスクエンハンサーを用いた45nmノードリソグラフィ(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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デバイス製造の高集積化を支えるリソグラフィ技術は、現在ArFエキシマレーザーリソグラフィが65nmノードに使用されている。更に微細化した45nmノードには液浸リソグラフィが期待されている。本論文では、焦点深度や解像度などのさらなる向上を目的として、本開発センターで開発したマスクエンハンサーを液浸リソグラフィに適用した結果について報告する。
- 2005-12-14
著者
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笹子 勝
松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター
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笹子 勝
松下電器産業(株)半導体研究センター
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三坂 章夫
松下電器産業(株)半導体研究センター
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清水 但美
松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター
-
由比藤 崇
松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター
-
入江 重夫
松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター
-
岸村 眞治
松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター
-
渡辺 尚志
松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター
-
遠藤 政孝
松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター
-
三坂 章夫
松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター
-
笹子 勝
松下電器産業(株)半導体社 事業本部プロセス開発センター
-
遠藤 政孝
松下電器産業(株)
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笹子 勝
松下電器産業(株)
-
三坂 章夫
松下電器産業(株)
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