レジスト潜像を用いたCDコントロール技術

概要

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LSIのデザインルールが微細化するにつれて、レジストパターン線幅(Critical Dimension:CD)コントロールの重要性は増大する一方である。特に、レジスト膜厚変動や基板の影響に左右されるウエハー間、ロット間のCDばらつきを低減することは、LSIデバイスの量産歩留りの向上に大きく貢献することになる。このようなウエハー間、ロット間のCDコントロール技術としては、従来スキャッタメトリーによるレジスト潜像をモニターする方法が提唱されていたが、モニターを行う対象パターンが周期性のあるものに限られており、実デバイスへの適用性に課題があった。本論文では、上記モニターするパターンの制限なく、ウエハー間、ロット間のCDコントロールを実現する新しい技術について報告する。この技術は、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)を用いてレジストの潜像をモニターすることを特徴とする。露光後のレジスト潜像をAFMを用いて観察した形状と現像後のCDの関係から現像時間をコントロールすることにより、CDばらつきを低減できる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05