単層化学増幅型エキシマレジストにおける実用解像限界に関する考察
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概要
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単層化学増幅型エキシマレジストの実用解像限界をレジスト周辺の環境が解像性に及ぼす影響、現像後のパターン倒れ、キュアや反射防止膜除去により生ずるパターンシフトの観点から考察した。理想的な基板上ではポジ型2成分系化学増幅型レジストASKAを用いて0.225ミクロンのパターン形成が可能である。レジスト上部雰囲気、下地基板上の塩基物は露光部の酸を失活させ解像性を劣化させるがオーバーコート、塩基物の中性化処理により解像性を劣化を押さえる事ができる。現象後のパターン倒れは、T-TOP現象とリンス液が乾燥するときの表面張力に起因しており、界面活性化剤を混入したリンス液を用いることにより0.2ミクロンL, Sまで抑制することが可能である。耐熱性はフラッシュ法により向上するが、原理的に寸法変動はゼロにできないので低温ドライエッチングが必要である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-28
著者
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笹子 勝
松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター
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笹子 勝
松下電器産業(株)半導体研究センター
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松尾 隆広
松下電器産業
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山下 一博
松下電器産業(株)半導体研究センター
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遠藤 政孝
松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター
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小林 智
松下電器産業
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勝山 亜希子
松下電器産業
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笹子 勝
松下電器産業(株)半導体社 事業本部プロセス開発センター
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遠藤 政孝
松下電器産業(株)
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笹子 勝
松下電器産業(株)
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