光近接効果補正を考慮した統計的ゲートCD制御手法の開発
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概要
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CMOSスタンダードセルレベルでの統計的ゲートCD制御を行うための手法を開発し、さらに、この手法を基に近接効果を考慮したマスク補正を行ったゲートパタンに対する統計的設計を可能にした。この手法を用いて、KrFリソグラフィ世代以降のCMOSデバイスのゲートCDばらつきを検討した。ゲートCDのセルレベルでのCD抑制を実現するためには、光リソグラフィにおける解像度向上技術とマスクパタンに対する光近接効果補正が不可欠であることが明らかなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-22
著者
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小田中 紳二
松下電子工業(株)プロセス開発センター
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三坂 章夫
松下電子工業(株)プロセス開発センター
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合田 明彦
松下電子工業(株)プロセス開発センター
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小田中 紳二
松下電子工業
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三坂 章夫
松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター
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