非対称なチャネル不純物分布を有する高性能0.1um MOSFET
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年、0.1um領域において高速CMOSデバイスの研究が数多くなされている。0.1umCMOSデバイスの高速動作を達成するためには、非平衡現象を理解し、キャリアの速度オーバーシュートを利用することが重要な課題である。本報告では、非対称なチャネル不純物分布を有する0.1um n-MOSFETの電子の非平衡輸送、製造プロセスおよびポテンシャルデザインについて報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
小田中 紳二
大阪大学サイバーメデアセンターコンピュータ実験科学
-
小田中 紳二
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
小田中 紳二
松下電子工業
-
広木 彰
松下電器半導体研究センター
-
広木 彰
松下電器産業(株) 半導体研究センター
関連論文
- 半導体における量子流体の数理とシミュレーション
- 時間依存デバイスシミュレーションのための量子ドリフト-拡散モデルの離散化手法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- A Numerical Scheme for Quantum Hydrodynamics in a Semiconductor(Mathematical Analysis in Fluid and Gas Dynamics : A conference in honor of Professor Tai-Ping Liu on his 60th Birthday)
- 光近接効果補正を考慮した統計的ゲートCD制御手法の開発
- 光近接効果補正を考慮した統計的ゲートCD制御手法の開発
- 光近接効果補正を考慮した統計的ゲートCD制御手法の開発
- 光近接効果補正を考慮した統計的ゲートCD制御手法の開発
- 光リソグラフィプロセスの統計的設計のための応答曲面関数(RSF)の導出
- 室温動作0.05μm-CMOSの試作と評価 : サブ0.1μm-MOSFETの可能性とデバイスデザイン
- 低電圧動作CMOSデバイスにおけるゲートドレイン間容量低減の効果
- テーブル回路モデルを用いた電気・熱的静電破壊(ESD)解析シミュレーション
- Full Band Monte Carlo法におけるエネルギー運動量保存則の高精度計算
- Full Band Monte Carlo法における運動量空間離散化の精度評価
- サブ0.1ミクロンMOSデバイスに向けたモンテカルロシミュレーション技術
- 非対称なチャネル不純物分布を有する高性能0.1um MOSFET