時間依存デバイスシミュレーションのための量子ドリフト-拡散モデルの離散化手法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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本報告では,半導体における非定常な量子ドリフト-拡散モデルの数値計算法について述べる.適応型の時間離散化に重点をおいた離散化手法を提案する.時間依存の電子の振る舞いを理解するために重要な特性をもつ系の自由エネルギーの時間微分を導入し,適応型時間ステップアルゴリズムを構成している.このアルゴリズムを,1次元のn^+-n-n^+シリコンダイオードのスイッチング特性において検証し,スイッチング特性に対して適応型時間ステップが構成されていることが示されている.この新しいアルゴリズムは総時間ステップ数を大幅に削減することができる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-06
著者
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