室温動作0.05μm-CMOSの試作と評価 : サブ0.1μm-MOSFETの可能性とデバイスデザイン
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概要
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世界で初めて0.05μmのPMOSを作製した。同時に作製した0.05μmのNMOSと併せて報告する。5KeVのイオン注入と短時間熱処理(RTA)を用いて、極めて浅い接合を開発しソース、ドレインに適用した。ポケット注入によりジャンクションの寄生容量を増大させることなく短チャネル効果を抑制し、NMOS,PMOS共に室温で0.05μmでの動作を確認している。無負荷のCMOSインバータの1ゲート当たりの遅延時間は13.1ビコ秒である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-27
著者
-
水野 文二
UJTラボ
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小田中 紳二
松下電子工業(株)プロセス開発センター
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海本 博之
松下電器産業(株)半導体研究センター
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小田中 紳二
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
堀 敦
松下電器産業(株)、半導体研究センター
-
中岡 弘明
松下電器産業(株)、半導体研究センター
-
高瀬 道彦
松下電器産業(株)、半導体研究センター
-
水野 文二
松下電器産業(株)、半導体研究センター
-
小田中 紳二
松下電子工業
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水野 文二
松下電器産業
-
堀 敦
松下電子工業(株)プロセス開発センター
-
掘 敦
松下電子工業(株)プロセス開発センター
-
高瀬 道彦
松下電器産業(株)中央研究所
-
中岡 弘明
松下電器産業(株)半導体研究センター
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