28p-P-4 室温気相ドーピング
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1996-03-26
著者
関連論文
- 室温動作0.05μm-CMOSの試作と評価 : サブ0.1μm-MOSFETの可能性とデバイスデザイン
- Mesh-Array構造のSi-MOSFETを用いた高周波回路の検討 ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 3)異種接合受光素子を積層した固体撮像板(テレビジョン電子装置研究会(第90回))
- 異種接合受光素子を積層した固体撮像板
- 0.15μm以降のMOSトランジスタに向けたプラズマドーピング技術
- 『プラズマドーピングを用いて作成したpMOSFETのデバイス特性』
- 『プラズマドーピングを用いて作成したpMOSFETのデバイス特性』
- 超低エネルギードーピング-プラズマドーピング-
- プラズマドーピング技術
- 29a-G-2 プラズマドーピングを用いた低抵抗浅接合形成技術
- 28p-P-5 プラズマドーピングの応用-サブ1/4ミクロンPMOS
- 28p-P-4 室温気相ドーピング
- プラズマイオン注入 -プラズマドーピング-
- フェイルビットマップ相関解析システム
- プラズマドーピング技術