水野 文二 | 松下電器産業(株)、半導体研究センター
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概要
関連著者
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水野 文二
松下電器産業(株)、半導体研究センター
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松下電器産業(株)、半導体研究センター
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松下電器産業(株)半導体研究センター
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松下電器産業(株)、半導体研究センター
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中岡 弘明
松下電器産業(株)半導体研究センター
著作論文
- 室温動作0.05μm-CMOSの試作と評価 : サブ0.1μm-MOSFETの可能性とデバイスデザイン
- 0.15μm以降のMOSトランジスタに向けたプラズマドーピング技術
- 『プラズマドーピングを用いて作成したpMOSFETのデバイス特性』
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- プラズマドーピング技術
- 29a-G-2 プラズマドーピングを用いた低抵抗浅接合形成技術
- 28p-P-5 プラズマドーピングの応用-サブ1/4ミクロンPMOS
- 28p-P-4 室温気相ドーピング
- プラズマイオン注入 -プラズマドーピング-
- フェイルビットマップ相関解析システム
- プラズマドーピング技術