山下 恭司 | 松下電子工業(株)プロセス開発センター

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関連著者

• 山下 恭司

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 堀 敦

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 掘 敦

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 小田中 紳二

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 小田中 紳二

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 高瀬 道彦

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 水野 文二

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 山下 恭司

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 栗本 一実

  松下電子工業(株)京都研究所

• 小田中 紳二

  松下電子工業

• 水野 文二

  松下電器産業

• 高瀬 道彦

  松下電器産業(株)中央研究所

• 海本 博之

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 堀 敦

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 中岡 弘明

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 栗本 一実

  松下電器産業半導体研究センター

• 宮永 績

  松下電器産業半導体研究センター

• 山下 恭司

  東芝研究開発センター

• 中島 和弘

  東芝

• 山口 真司

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 中島 和弘

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 中岡 弘明

  松下電器産業(株)半導体研究センター

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著作論文

• 低電圧動作CMOSデバイスにおけるゲートドレイン間容量低減の効果
• テーブル回路モデルを用いた電気・熱的静電破壊(ESD)解析シミュレーション
• 『プラズマドーピングを用いて作成したpMOSFETのデバイス特性』
• 『プラズマドーピングを用いて作成したpMOSFETのデバイス特性』
• CD欠陥と透過率欠陥を高感度で検出する新しいマスク欠陥検査方法

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