堀 敦 | 松下電子工業(株)プロセス開発センター

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• 堀 敦

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 掘 敦

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著作論文

• 室温動作0.05μm-CMOSの試作と評価 : サブ0.1μm-MOSFETの可能性とデバイスデザイン
• テーブル回路モデルを用いた電気・熱的静電破壊(ESD)解析シミュレーション
• 『プラズマドーピングを用いて作成したpMOSFETのデバイス特性』
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