高瀬 道彦 | 松下電器産業(株)、半導体研究センター

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概要

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関連著者

• 高瀬 道彦

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 水野 文二

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 水野 文二

  松下電器産業

• 高瀬 道彦

  松下電器産業(株)中央研究所

• 中山 一郎

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 堀 敦

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 掘 敦

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 堀 敦

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 小倉 基次

  松下電器産業(株)中央研究所

• 山下 恭司

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 水野 文二

  UJTラボ

• 小田中 紳二

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 海本 博之

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 小田中 紳二

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 中岡 弘明

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 山下 恭司

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 小田中 紳二

  松下電子工業

• 谷村 彰一

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 水野 文二

  松下電器R&D企画室

• 中岡 弘明

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 中山 一郎

  松下電器産業(株)

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著作論文

• 室温動作0.05μm-CMOSの試作と評価 : サブ0.1μm-MOSFETの可能性とデバイスデザイン
• 0.15μm以降のMOSトランジスタに向けたプラズマドーピング技術
• 『プラズマドーピングを用いて作成したpMOSFETのデバイス特性』
• 『プラズマドーピングを用いて作成したpMOSFETのデバイス特性』
• 超低エネルギードーピング-プラズマドーピング-
• プラズマドーピング技術
• 29a-G-2 プラズマドーピングを用いた低抵抗浅接合形成技術
• 28p-P-5 プラズマドーピングの応用-サブ1/4ミクロンPMOS
• 28p-P-4 室温気相ドーピング

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