『プラズマドーピングを用いて作成したpMOSFETのデバイス特性』
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概要
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プラズマドーピングを用いて、低プロセス誘起ダメージで且つ高活性化率である低シート抵抗・極浅接合を実現した。最適化されたプラズマドーピングを用いて高性能のpMOSFETを作成した。線形領域におけるpMOSFETのGm値は、10keVイオン注入を用いて作成した同じ接合深さのソース・ドレイン・エクステンションをもつデバイスと比較して約30%向上した。
- 1998-04-24
著者
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高瀬 道彦
松下電器産業(株)、半導体研究センター
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水野 文二
松下電器産業(株)、半導体研究センター
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水野 文二
松下電器産業
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山下 恭司
松下電子工業(株)プロセス開発センター
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堀 敦
松下電子工業(株)プロセス開発センター
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掘 敦
松下電子工業(株)プロセス開発センター
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高瀬 道彦
松下電器産業(株)中央研究所
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