小田中 紳二 | 松下電器産業(株)半導体研究センター

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概要

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• 小田中 紳二

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• 小田中 紳二

  松下電子工業

• 小田中 紳二

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 海本 博之

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 堀 敦

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 中岡 弘明

  松下電器産業(株)、半導体研究センター

• 山下 恭司

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 栗本 一実

  松下電子工業(株)京都研究所

• 山下 恭司

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 堀 敦

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 掘 敦

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

• 中岡 弘明

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 水野 文二

  UJTラボ

• 小田中 紳二

  大阪大学サイバーメデアセンターコンピュータ実験科学

• 合田 明彦

  松下電子工業(株)プロセス開発センター

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  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 三坂 章夫

  松下電器産業(株)半導体研究センター

• 高瀬 道彦

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• 水野 文二

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• 栗本 一実

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• 宮永 績

  松下電器産業半導体研究センター

• 水野 文二

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• 広木 彰

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  松下電器産業(株) 半導体研究センター

• 三坂 章夫

  松下電器産業株式会社半導体社事業本部プロセス開発センター

• 高瀬 道彦

  松下電器産業(株)中央研究所

• 三坂 章夫

  松下電器産業(株)

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著作論文

• 光リソグラフィプロセスの統計的設計のための応答曲面関数(RSF)の導出
• 室温動作0.05μm-CMOSの試作と評価 : サブ0.1μm-MOSFETの可能性とデバイスデザイン
• 低電圧動作CMOSデバイスにおけるゲートドレイン間容量低減の効果
• テーブル回路モデルを用いた電気・熱的静電破壊(ESD)解析シミュレーション
• 非対称なチャネル不純物分布を有する高性能0.1um MOSFET

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